一种低温溶液法生长SiC晶体的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211106371.9

申请日：

2022-09-11

公开(公告)号：

CN116145258B

公开(公告)日：

2025-05-23

发明(设计)人：

雷云邓幻雷敏鹏李鹏马文会母凤文郭超

申请人：

昆明理工大学北京青禾晶元半导体科技有限责任公司

申请人地址：

650093 云南省昆明市五华区学府路253号

IPC主分类号：

C30B29/36

IPC分类号：

C30B27/00 C30B27/02 C30B28/10 C30B28/06

代理机构：

昆明明润知识产权代理事务所(普通合伙) 53215

代理人：

张云

法律状态：

授权

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-23	授权	授权
2025-11-21	专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更	专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更IPC(主分类):C30B 29/36变更事项:专利权人变更前:昆明理工大学变更后:昆明理工大学变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:650093 云南省昆明市五华区学府路253号变更后:650093 云南省昆明市五华区学府路253号变更事项:专利权人变更前:北京青禾晶元半导体科技有限责任公司变更后:青禾晶元半导体科技（集团）有限责任公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国

共 50 条

[1]

一种助溶剂法生长单晶或多晶SiC晶体的方法 [P].

雷云 ;

李鹏 ;

雷敏鹏 ;

邓幻 ;

马文会 .

中国专利 :CN115478324A ,2022-12-16

[2]

溶液法生长SiC单晶的方法 [P].

陈小龙 ;

王国宾 ;

郭建刚 ;

李辉 ;

王文军 ;

盛达 .

中国专利 :CN116121870B ,2025-07-01

[3]

一种PVT法生长SiC晶体的籽晶固定方法 [P].

孔海宽 ;

忻隽 ;

陈建军 ;

严成锋 ;

刘熙 ;

肖兵 ;

杨建华 ;

施尔畏 .

中国专利 :CN103374750A ,2013-10-30

[4]

碲溶剂溶液法生长碲锌镉晶体的方法 [P].

闵嘉华 ;

王东 ;

梁小燕 ;

刘伟伟 ;

孙孝翔 ;

李辉 ;

孟利敏 ;

张继军 ;

王林军 ;

郭昀 ;

张涛 ;

滕家琪 .

中国专利 :CN102230213A ,2011-11-02

[5]

溶液法晶体生长系统及晶体生长方法 [P].

罗景庭 ;

何亮 ;

何正熙 ;

徐涛 ;

张浩南 ;

张海涛 ;

胡昌振 ;

李章万 ;

戴磊 ;

黄明阳 .

中国专利 :CN120905762A ,2025-11-07

[6]

一种低包裹物密度SiC晶体的生长装置及生长方法 [P].

李扬 ;

郑向光 ;

杨昆 ;

刘新辉 ;

路亚娟 ;

牛晓龙 .

中国专利 :CN117737858B ,2024-09-06

[7]

一种低包裹物密度SiC晶体的生长装置及生长方法 [P].

李扬 ;

郑向光 ;

杨昆 ;

刘新辉 ;

路亚娟 ;

牛晓龙 .

中国专利 :CN117737858A ,2024-03-22

[8]

一种生长SiC晶体的粘结方法 [P].

胡动力 ;

杨东风 ;

陈湘伟 ;

周小龙 .

中国专利 :CN119859851A ,2025-04-22

[9]

一种SiC晶体生长炉 [P].

陈鹏飞 ;

杨倩倩 ;

苗浩伟 ;

李嘉琪 .

中国专利 :CN222251120U ,2024-12-27

[10]

一种使用低温溶液法生长快衰减Cs<sub>2</sub>LiYCl<sub>6</sub>晶体的方法 [P].

康哲 ;

刘金波 .

中国专利 :CN119571432A ,2025-03-07

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