一种PVT法生长SiC晶体的籽晶固定方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210129620.6

申请日：

2012-04-28

公开(公告)号：

CN103374750A

公开(公告)日：

2013-10-30

发明(设计)人：

孔海宽忻隽陈建军严成锋刘熙肖兵杨建华施尔畏

申请人：

申请人地址：

201800 上海市嘉定区城北路215号

IPC主分类号：

C30B2300

IPC分类号：

C30B2936

代理机构：

上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261

代理人：

曹芳玲

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-11-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101545325142 IPC(主分类):C30B 23/00 专利申请号:2012101296206 申请日:20120428
2021-04-02	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C30B 23/00 登记生效日:20210319 变更事项:专利权人变更前权利人:上海硅酸盐研究所中试基地变更后权利人:安徽微芯长江半导体材料有限公司变更事项:地址变更前权利人:201800 上海市嘉定区城北路215号变更后权利人:244000 安徽省铜陵市经济开发区西湖三路变更事项:专利权人变更前权利人:中国科学院上海硅酸盐研究所
2015-07-15	授权	授权
2013-10-30	公开	公开

共 50 条

[1]

一种生长SiC晶体的籽晶粘结方法 [P].

孔海宽 ;

严成锋 ;

忻隽 ;

陈建军 ;

肖兵 ;

陈之战 ;

杨建华 ;

施尔畏 .

中国专利 :CN102534762A ,2012-07-04

[2]

一种基于PVT法生长sic的方法 [P].

孙月静 .

中国专利 :CN109056069A ,2018-12-21

[3]

基于机器学习优化PVT法SiC晶体生长的方法 [P].

冯宏剑 ;

屠威 ;

梁潇文 .

中国专利 :CN117684259A ,2024-03-12

[4]

一种低温溶液法生长SiC晶体的方法 [P].

雷云 ;

邓幻 ;

雷敏鹏 ;

李鹏 ;

马文会 ;

母凤文 ;

郭超 .

中国专利 :CN116145258B ,2025-05-23

[5]

一种适用于PVT法生长SiC晶体系统的测温结构 [P].

孔海宽 ;

忻隽 ;

陈建军 ;

严成锋 ;

刘熙 ;

肖兵 ;

杨建华 ;

施尔畏 .

中国专利 :CN202643905U ,2013-01-02

[6]

一种适用于PVT法生长SiC晶体系统的测温结构 [P].

孔海宽 ;

忻隽 ;

陈建军 ;

严成锋 ;

刘熙 ;

肖兵 ;

杨建华 ;

施尔畏 .

中国专利 :CN103374749A ,2013-10-30

[7]

一种双层结构放置原料的PVT法SiC晶体生长坩埚 [P].

赵丽丽 ;

刘德超 ;

范国峰 ;

袁文博 ;

张胜涛 .

中国专利 :CN210065980U ,2020-02-14

[8]

一种生长SiC晶体的粘结方法 [P].

胡动力 ;

杨东风 ;

陈湘伟 ;

周小龙 .

中国专利 :CN119859851A ,2025-04-22

[9]

一种生长高质量SiC晶体的籽晶处理方法 [P].

王波 ;

王光明 ;

彭同华 .

中国专利 :CN109989107A ,2019-07-09

[10]

一种PVT法生长SiC用的单晶炉测温结构 [P].

包文东 ;

陈吉堃 ;

陈诺夫 ;

惠峰 ;

陆贵兵 ;

普世坤 ;

林作亮 ;

胡文瑞 .

中国专利 :CN212103061U ,2020-12-08

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