一种生长SiC晶体的粘结方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510200950.7

申请日：

2025-02-24

公开(公告)号：

CN119859851A

公开(公告)日：

2025-04-22

发明(设计)人：

胡动力杨东风陈湘伟周小龙

申请人：

连科半导体有限公司

申请人地址：

214000 江苏省无锡市锡山区锡北镇泾虹路15号

IPC主分类号：

C30B29/36

IPC分类号：

C30B33/06

代理机构：

无锡亿联盛知识产权代理有限公司 32625

代理人：

谢恺

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-09	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/36申请日:20250224
2025-04-22	公开	公开

共 50 条

[1]

一种生长SiC晶体的籽晶粘结方法 [P].

孔海宽 ;

严成锋 ;

忻隽 ;

陈建军 ;

肖兵 ;

陈之战 ;

杨建华 ;

施尔畏 .

中国专利 :CN102534762A ,2012-07-04

[2]

挡板、芯片、SiC晶体、晶体生长炉和生长方法 [P].

胡彬 ;

段焕涛 .

中国专利 :CN117822097A ,2024-04-05

[3]

一种减少SiC晶体生长中缺陷产生的方法 [P].

郑清超 ;

杨坤 .

中国专利 :CN106245110B ,2016-12-21

[4]

一种用于生长SiC晶体的坩埚 [P].

邓树军 ;

高宇 ;

陶莹 ;

赵梅玉 ;

段聪 .

中国专利 :CN203546203U ,2014-04-16

[5]

一种PVT法生长SiC晶体的籽晶固定方法 [P].

孔海宽 ;

忻隽 ;

陈建军 ;

严成锋 ;

刘熙 ;

肖兵 ;

杨建华 ;

施尔畏 .

中国专利 :CN103374750A ,2013-10-30

[6]

一种SiC晶体生长保温设备及其方法 [P].

万峰 .

中国专利 :CN119980450A ,2025-05-13

[7]

一种低温溶液法生长SiC晶体的方法 [P].

雷云 ;

邓幻 ;

雷敏鹏 ;

李鹏 ;

马文会 ;

母凤文 ;

郭超 .

中国专利 :CN116145258B ,2025-05-23

[8]

一种SiC晶体生长炉 [P].

陈鹏飞 ;

杨倩倩 ;

苗浩伟 ;

李嘉琪 .

中国专利 :CN222251120U ,2024-12-27

[9]

一种SiC晶体的制造方法 [P].

孙月静 .

中国专利 :CN108977886A ,2018-12-11

[10]

分步生长弱磁性Fe-V共掺杂SiC晶体的方法 [P].

卓世异 ;

刘学超 ;

严成锋 ;

施尔畏 .

中国专利 :CN110699752A ,2020-01-17

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