分步生长弱磁性Fe-V共掺杂SiC晶体的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911043221.6

申请日：

2019-10-30

公开(公告)号：

CN110699752A

公开(公告)日：

2020-01-17

发明(设计)人：

卓世异刘学超严成锋施尔畏

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区定西路1295号

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C30B2300 C30B3106

代理机构：

上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261

代理人：

曹芳玲;郑优丽

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-22	授权	授权
2020-02-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/36 申请日:20191030
2020-01-17	公开	公开
2021-04-02	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):C30B 29/36 登记生效日:20210322 变更事项:申请人变更前权利人:中国科学院上海硅酸盐研究所变更后权利人:安徽微芯长江半导体材料有限公司变更事项:地址变更前权利人:200050 上海市长宁区定西路1295号变更后权利人:244000 安徽省铜陵市经济开发区西湖三路

共 34 条

[1]

一种生长SiC晶体的粘结方法 [P].

胡动力 ;

杨东风 ;

陈湘伟 ;

周小龙 .

中国专利 :CN119859851A ,2025-04-22

[2]

一种减少SiC晶体生长中缺陷产生的方法 [P].

郑清超 ;

杨坤 .

中国专利 :CN106245110B ,2016-12-21

[3]

低掺杂的半绝缘SIC晶体和方法 [P].

陈继宏 ;

伊利娅·茨维巴克 ;

阿维那希·K·古普塔 ;

多诺万·L·巴雷特 ;

理查德·H·霍普金斯 ;

爱德华·塞默纳斯 ;

托马斯·A·安德森 ;

安德鲁斯·E·苏齐斯 .

中国专利 :CN1985029A ,2007-06-20

[4]

用于生长SiC晶体的SiC原料的制备方法和制备装置 [P].

彭同华 ;

刘春俊 ;

王波 ;

张平 ;

邹宇 ;

赵宁 .

中国专利 :CN109844185B ,2019-06-04

[5]

一种生长SiC晶体的籽晶粘结方法 [P].

孔海宽 ;

严成锋 ;

忻隽 ;

陈建军 ;

肖兵 ;

陈之战 ;

杨建华 ;

施尔畏 .

中国专利 :CN102534762A ,2012-07-04

[6]

一种低温溶液法生长SiC晶体的方法 [P].

雷云 ;

邓幻 ;

雷敏鹏 ;

李鹏 ;

马文会 ;

母凤文 ;

郭超 .

中国专利 :CN116145258B ,2025-05-23

[7]

一种PVT法生长SiC晶体的籽晶固定方法 [P].

孔海宽 ;

忻隽 ;

陈建军 ;

严成锋 ;

刘熙 ;

肖兵 ;

杨建华 ;

施尔畏 .

中国专利 :CN103374750A ,2013-10-30

[8]

基于机器学习优化PVT法SiC晶体生长的方法 [P].

冯宏剑 ;

屠威 ;

梁潇文 .

中国专利 :CN117684259A ,2024-03-12

[9]

一种调控掺杂浓度的SiC生长方法及装置 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN109722711A ,2019-05-07

[10]

减少通过升华(pvt)生长的SiC晶体中的位错的方法 [P].

M·罗伯达 .

中国专利 :CN105189835B ,2015-12-23

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