一种生长高质量SiC晶体的籽晶处理方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711475714.8

申请日：

2017-12-29

公开(公告)号：

CN109989107A

公开(公告)日：

2019-07-09

发明(设计)人：

王波王光明彭同华

申请人：

申请人地址：

102600 北京市大兴区天荣街9号世农大厦三层

IPC主分类号：

C30B2300

IPC分类号：

C30B2936

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-09	公开	公开
2019-08-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 23/00 申请日:20171229
2021-07-16	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B 23/00 申请公布日:20190709

共 50 条

[1]

一种生长高质量SiC单晶的籽晶处理方法 [P].

李翠 ;

杨志民 ;

杨立文 ;

蒋秉轩 .

中国专利 :CN103160928A ,2013-06-19

[2]

一种生长SiC晶体的籽晶粘结方法 [P].

孔海宽 ;

严成锋 ;

忻隽 ;

陈建军 ;

肖兵 ;

陈之战 ;

杨建华 ;

施尔畏 .

中国专利 :CN102534762A ,2012-07-04

[3]

一种直径8英寸及以上尺寸高质量SiC籽晶的制备方法 [P].

谢雪健 ;

陈秀芳 ;

徐现刚 ;

彭燕 ;

杨祥龙 ;

胡小波 .

中国专利 :CN110541199B ,2019-12-06

[4]

一种SiC晶体生长籽晶机械安装装置 [P].

朱纳新 .

中国专利 :CN223592883U ,2025-11-25

[5]

一种高质量碳化硅晶体生长坩埚 [P].

忻隽 ;

贺贤汉 ;

孔海宽 ;

涂小牛 ;

陈建军 ;

李有群 .

中国专利 :CN115386957A ,2022-11-25

[6]

一种高质量SiC单晶制备装置 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN214458450U ,2021-10-22

[7]

一种PVT法生长SiC晶体的籽晶固定方法 [P].

孔海宽 ;

忻隽 ;

陈建军 ;

严成锋 ;

刘熙 ;

肖兵 ;

杨建华 ;

施尔畏 .

中国专利 :CN103374750A ,2013-10-30

[8]

一种高质量的大尺寸碳化硅晶体生长装置和生长方法 [P].

毛栋梁 ;

魏汝省 ;

李天 ;

乔亮 ;

罗东 ;

高宇鹏 .

中国专利 :CN120925079A ,2025-11-11

[9]

一种高质量茶叶的制备方法 [P].

束磊 .

中国专利 :CN108850279A ,2018-11-23

[10]

一种高质量大直径SiC单晶的制备装置 [P].

刘新辉 ;

杨昆 ;

张福生 ;

路亚娟 ;

牛晓龙 ;

尚远航 .

中国专利 :CN212771047U ,2021-03-23

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