溅射用于基于碲化镉的光伏器件的RTB薄膜的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201110211399.4
申请日
2011-06-30
公开(公告)号
CN102312190B
公开(公告)日
2012-01-11
发明(设计)人
P·L·奥基夫
申请人
申请人地址
美国科罗拉多州
IPC主分类号
C23C1406
IPC分类号
C23C1434 C30B2948 C30B2300 H01L310296 H01L3118
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
柯广华;朱海煜
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
溅射基于碲化镉的薄膜光伏器件中使用的硫化镉层的方法 [P]. 
R·D·戈斯曼 ;
S·D·费尔德曼-皮博迪 .
中国专利 :CN102453863B ,2012-05-16
[2]
用于基于碲化镉的薄膜光伏器件的硫化镉层及其制造方法 [P]. 
R·D·戈斯曼 ;
M·J·帕沃尔 .
中国专利 :CN102234775A ,2011-11-09
[3]
基于碲化镉的薄膜光伏器件使用的硫化镉层及其制造方法 [P]. 
J·A·德雷顿 ;
S·D·费尔德曼-皮博迪 ;
R·D·戈斯曼 .
中国专利 :CN102237418A ,2011-11-09
[4]
基于碲化镉的薄膜光伏器件的多层N型堆栈及其制造方法 [P]. 
S.D.费尔德曼-皮博迪 ;
R.D.戈斯曼 .
中国专利 :CN102810581A ,2012-12-05
[5]
碲化镉薄膜光伏器件中的渐变合金碲化物层及其制造方法 [P]. 
S·D·费尔德曼-皮博迪 .
中国专利 :CN102142475A ,2011-08-03
[6]
用于薄膜光伏器件的硫化镉层和碲化镉层的混合以及它们的制造方法 [P]. 
S·D·费尔德曼-皮博迪 ;
M·J·帕沃尔 .
中国专利 :CN102456754A ,2012-05-16
[7]
在基于碲化镉的薄膜光伏器件中形成窗口层的方法 [P]. 
S.D.费尔德曼-皮博迪 ;
R.D.戈斯曼 .
中国专利 :CN102810597A ,2012-12-05
[8]
基于碲化镉的薄膜光伏器件的多层N型堆栈及其制造方法 [P]. 
S.D.费尔德曼-皮博迪 ;
R.D.戈斯曼 .
中国专利 :CN102810593A ,2012-12-05
[9]
对碲化镉光伏器件进行退火的方法 [P]. 
马克思·格鲁克勒尔 ;
瑞克·C·鲍威尔 .
中国专利 :CN102696118A ,2012-09-26
[10]
基于碲化镉的薄膜光伏器件所用的导电透明氧化物膜层的形成方法 [P]. 
S·D·费尔德曼-皮博迪 .
中国专利 :CN102206801A ,2011-10-05