基于碲化镉的薄膜光伏器件使用的硫化镉层及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201110159219.2
申请日
2011-04-29
公开(公告)号
CN102237418A
公开(公告)日
2011-11-09
发明(设计)人
J·A·德雷顿 S·D·费尔德曼-皮博迪 R·D·戈斯曼
申请人
申请人地址
美国科罗拉多州
IPC主分类号
H01L310296
IPC分类号
H01L310352 H01L3104 H01L3118 C23C1434 C23C1406
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
柯广华;朱海煜
法律状态
专利权的终止
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
用于基于碲化镉的薄膜光伏器件的硫化镉层及其制造方法 [P]. 
R·D·戈斯曼 ;
M·J·帕沃尔 .
中国专利 :CN102234775A ,2011-11-09
[2]
溅射基于碲化镉的薄膜光伏器件中使用的硫化镉层的方法 [P]. 
R·D·戈斯曼 ;
S·D·费尔德曼-皮博迪 .
中国专利 :CN102453863B ,2012-05-16
[3]
用于薄膜光伏器件的硫化镉层和碲化镉层的混合以及它们的制造方法 [P]. 
S·D·费尔德曼-皮博迪 ;
M·J·帕沃尔 .
中国专利 :CN102456754A ,2012-05-16
[4]
碲化镉薄膜光伏器件中的渐变合金碲化物层及其制造方法 [P]. 
S·D·费尔德曼-皮博迪 .
中国专利 :CN102142475A ,2011-08-03
[5]
碲化镉薄膜光伏装置及其制造方法 [P]. 
R·D·戈斯曼 ;
J·A·德雷顿 .
中国专利 :CN102130207A ,2011-07-20
[6]
基于碲化镉的薄膜光伏器件的多层N型堆栈及其制造方法 [P]. 
S.D.费尔德曼-皮博迪 ;
R.D.戈斯曼 .
中国专利 :CN102810581A ,2012-12-05
[7]
在基于碲化镉的薄膜光伏器件中形成窗口层的方法 [P]. 
S.D.费尔德曼-皮博迪 ;
R.D.戈斯曼 .
中国专利 :CN102810597A ,2012-12-05
[8]
基于碲化镉的薄膜光伏器件的多层N型堆栈及其制造方法 [P]. 
S.D.费尔德曼-皮博迪 ;
R.D.戈斯曼 .
中国专利 :CN102810593A ,2012-12-05
[9]
碲化镉基光伏器件及其制造方法 [P]. 
D·E·卡佐里斯 ;
B·朱 .
中国专利 :CN101467263A ,2009-06-24
[10]
溅射用于基于碲化镉的光伏器件的RTB薄膜的方法 [P]. 
P·L·奥基夫 .
中国专利 :CN102312190B ,2012-01-11