溅射基于碲化镉的薄膜光伏器件中使用的硫化镉层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110356243.5

申请日：

2011-10-27

公开(公告)号：

CN102453863B

公开(公告)日：

2012-05-16

发明(设计)人：

R·D·戈斯曼 S·D·费尔德曼-皮博迪

申请人：

申请人地址：

美国科罗拉多州

IPC主分类号：

C23C1406

IPC分类号：

C23C1434 H01L3118

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

张金金;朱海煜

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-11-25	授权	授权
2013-09-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101524321825 IPC(主分类):C23C 14/06 专利申请号:2011103562435 申请日:20111027
2012-05-16	公开	公开

共 50 条

[1]

基于碲化镉的薄膜光伏器件使用的硫化镉层及其制造方法 [P].

J·A·德雷顿 ;

S·D·费尔德曼-皮博迪 ;

R·D·戈斯曼 .

中国专利 :CN102237418A ,2011-11-09

[2]

用于基于碲化镉的薄膜光伏器件的硫化镉层及其制造方法 [P].

R·D·戈斯曼 ;

M·J·帕沃尔 .

中国专利 :CN102234775A ,2011-11-09

[3]

溅射用于基于碲化镉的光伏器件的RTB薄膜的方法 [P].

P·L·奥基夫 .

中国专利 :CN102312190B ,2012-01-11

[4]

用于薄膜光伏器件的硫化镉层和碲化镉层的混合以及它们的制造方法 [P].

S·D·费尔德曼-皮博迪 ;

M·J·帕沃尔 .

中国专利 :CN102456754A ,2012-05-16

[5]

碲化镉薄膜光伏器件中的渐变合金碲化物层及其制造方法 [P].

S·D·费尔德曼-皮博迪 .

中国专利 :CN102142475A ,2011-08-03

[6]

硫化镉和碲化镉的混和溅射靶以及它们使用的方法 [P].

S·D·费尔德曼-皮博迪 .

中国专利 :CN102453875A ,2012-05-16

[7]

在基于碲化镉的薄膜光伏器件中形成窗口层的方法 [P].

S.D.费尔德曼-皮博迪 ;

R.D.戈斯曼 .

中国专利 :CN102810597A ,2012-12-05

[8]

碲化镉基薄膜光伏器件中使用的导电透明氧化物膜层的形成方法 [P].

S·D·费尔德曼-皮博迪 ;

R·D·戈斯曼 .

中国专利 :CN102315326A ,2012-01-11

[9]

将碲化镉层改性的方法和具有碲化镉层的薄膜器件 [P].

J·M·弗里 .

中国专利 :CN102290456A ,2011-12-21

[10]

混合溅射靶及其在碲化镉基薄膜光伏装置中的使用 [P].

S·D·费尔德曼-皮博迪 ;

R·D·戈斯曼 .

中国专利 :CN102453864A ,2012-05-16

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