碲化镉基薄膜光伏器件中使用的导电透明氧化物膜层的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110246912.3

申请日：

2011-07-02

公开(公告)号：

CN102315326A

公开(公告)日：

2012-01-11

发明(设计)人：

S·D·费尔德曼-皮博迪 R·D·戈斯曼

申请人：

申请人地址：

美国科罗拉多州

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

李进;林毅斌

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-01-11	公开	公开
2016-03-02	授权	授权
2013-06-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101464717730 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2011102469123 申请日:20110702

共 50 条

[1]

基于碲化镉的薄膜光伏器件所用的导电透明氧化物膜层的形成方法 [P].

S·D·费尔德曼-皮博迪 .

中国专利 :CN102206801A ,2011-10-05

[2]

基于碲化镉的薄膜光伏器件所用的导电透明氧化物膜层的形成方法 [P].

S·D·费尔德曼-皮博迪 .

中国专利 :CN102208484B ,2011-10-05

[3]

基于碲化镉的薄膜光伏器件所用的导电透明氧化物膜层的形成方法 [P].

S·D·费尔德曼-皮博迪 ;

J·A·德雷顿 .

中国专利 :CN102208485A ,2011-10-05

[4]

形成用于基于碲化镉的薄膜光伏装置的导电透明氧化物膜层的方法 [P].

S·D·费尔德曼-皮博迪 ;

J·A·德雷顿 ;

R·D·戈斯曼 ;

M·萨德希 .

中国专利 :CN102208483B ,2011-10-05

[5]

溅射基于碲化镉的薄膜光伏器件中使用的硫化镉层的方法 [P].

R·D·戈斯曼 ;

S·D·费尔德曼-皮博迪 .

中国专利 :CN102453863B ,2012-05-16

[6]

用于基于碲化镉的薄膜光伏器件的硫化镉层及其制造方法 [P].

R·D·戈斯曼 ;

M·J·帕沃尔 .

中国专利 :CN102234775A ,2011-11-09

[7]

基于碲化镉的薄膜光伏器件使用的硫化镉层及其制造方法 [P].

J·A·德雷顿 ;

S·D·费尔德曼-皮博迪 ;

R·D·戈斯曼 .

中国专利 :CN102237418A ,2011-11-09

[8]

碲化镉薄膜光伏器件中的渐变合金碲化物层及其制造方法 [P].

S·D·费尔德曼-皮博迪 .

中国专利 :CN102142475A ,2011-08-03

[9]

用于光伏结构中的透明导电氧化物薄膜的形成方法 [P].

丹尼尔·林科特 ;

金·鲁塞特 .

中国专利 :CN102159753A ,2011-08-17

[10]

具有局部电场分布的透明导电氧化物层及其光伏器件 [P].

陈世伟 .

中国专利 :CN104051549A ,2014-09-17

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