具有局部电场分布的透明导电氧化物层及其光伏器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201310236722.2
申请日
2013-06-14
公开(公告)号
CN104051549A
公开(公告)日
2014-09-17
发明(设计)人
陈世伟
申请人
申请人地址
中国台湾台中市
IPC主分类号
H01L310224
IPC分类号
H01L310216 H01L310749 H01L3118
代理机构
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人
章社杲;孙征
法律状态
专利申请权、专利权的转移
国省代码
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共 50 条
[1]
具有氧化物层的光伏装置 [P]. 
本雅明·布勒 ;
马库斯·格鲁艾克勒 ;
李青浩 ;
邵锐 ;
杨宇 ;
赵志波 .
中国专利 :CN103180962A ,2013-06-26
[2]
基于碲化镉的薄膜光伏器件所用的导电透明氧化物膜层的形成方法 [P]. 
S·D·费尔德曼-皮博迪 .
中国专利 :CN102206801A ,2011-10-05
[3]
基于碲化镉的薄膜光伏器件所用的导电透明氧化物膜层的形成方法 [P]. 
S·D·费尔德曼-皮博迪 .
中国专利 :CN102208484B ,2011-10-05
[4]
基于碲化镉的薄膜光伏器件所用的导电透明氧化物膜层的形成方法 [P]. 
S·D·费尔德曼-皮博迪 ;
J·A·德雷顿 .
中国专利 :CN102208485A ,2011-10-05
[5]
碲化镉基薄膜光伏器件中使用的导电透明氧化物膜层的形成方法 [P]. 
S·D·费尔德曼-皮博迪 ;
R·D·戈斯曼 .
中国专利 :CN102315326A ,2012-01-11
[6]
增强导电氧化物层雾度的方法及透明导电氧化物透明基底 [P]. 
路胜博 .
中国专利 :CN103426968A ,2013-12-04
[7]
具有高透射率结构的透明导电氧化物层及其制造方法 [P]. 
陈世伟 .
中国专利 :CN104037247A ,2014-09-10
[8]
增加透明导电氧化物光散射能力的方法 [P]. 
李沅民 ;
马昕 .
中国专利 :CN101246921A ,2008-08-20
[9]
具有内嵌膜的透明导电氧化物 [P]. 
A·甘卓 ;
S·纳拉亚南 ;
D·J·欧肖内西 .
中国专利 :CN111094206B ,2020-05-01
[10]
具有内嵌膜的透明导电氧化物 [P]. 
A·甘卓 ;
S·纳拉亚南 ;
D·J·欧肖内西 .
美国专利 :CN115466061B ,2025-02-14