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半导体器件及其形成方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201910446826.3
申请日
:
2019-05-27
公开(公告)号
:
CN110718554B
公开(公告)日
:
2020-01-21
发明(设计)人
:
林孟汉
吴伟成
申请人
:
申请人地址
:
中国台湾新竹
IPC主分类号
:
H01L271157
IPC分类号
:
代理机构
:
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人
:
章社杲;李伟
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-01-21
公开
公开
2021-10-08
授权
授权
2020-02-21
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/1157 申请日:20190527
共 50 条
[1]
半导体器件及其形成方法
[P].
杨柏峰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
杨柏峰
;
杨世海
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
杨世海
;
贾汉中
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
贾汉中
;
王圣祯
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王圣祯
;
林佑明
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
林佑明
.
中国专利
:CN113540117A
,2021-10-22
[2]
半导体器件及其形成方法
[P].
杨柏峰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
杨柏峰
;
杨世海
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
杨世海
;
贾汉中
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
贾汉中
;
王圣祯
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
王圣祯
;
林佑明
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
林佑明
.
中国专利
:CN113540117B
,2024-10-18
[3]
半导体器件及其形成方法
[P].
林孟汉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
林孟汉
;
吴伟成
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
吴伟成
.
中国专利
:CN110867445B
,2020-03-06
[4]
半导体器件及其形成方法
[P].
周沛瑜
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
周沛瑜
;
许家铭
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
许家铭
;
李资良
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李资良
.
中国专利
:CN115424982A
,2022-12-02
[5]
半导体器件及其形成方法
[P].
杨海宁
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
杨海宁
;
R·C·汪
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
R·C·汪
.
中国专利
:CN101055873A
,2007-10-17
[6]
半导体器件及其形成方法
[P].
王晨晨
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王晨晨
;
吕俊颉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
吕俊颉
;
徐志安
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
徐志安
;
林佑明
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
林佑明
;
杨世海
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
杨世海
.
中国专利
:CN113764457A
,2021-12-07
[7]
半导体器件结构及其形成方法
[P].
詹景文
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
詹景文
;
黄昶智
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
黄昶智
;
谢智仁
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
谢智仁
;
王怡情
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
王怡情
;
曾国权
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
曾国权
;
黄国钦
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
黄国钦
;
庄学理
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
庄学理
.
中国专利
:CN121001345A
,2025-11-21
[8]
半导体器件及其形成方法
[P].
胡恬
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
胡恬
;
胡毓祥
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
胡毓祥
;
郭宏瑞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
郭宏瑞
;
余振华
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
余振华
.
中国专利
:CN111129254B
,2020-05-08
[9]
半导体器件及其形成方法
[P].
钱仕兵
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
钱仕兵
.
中国专利
:CN112582414B
,2021-03-30
[10]
半导体器件及其形成方法
[P].
吴仓聚
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
吴仓聚
;
林士哲
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
林士哲
;
蔡承竣
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
蔡承竣
;
巫秉融
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
巫秉融
;
柯皓文
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
柯皓文
.
中国专利
:CN119517754A
,2025-02-25
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