半导体器件及其形成方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910446826.3
申请日
2019-05-27
公开(公告)号
CN110718554B
公开(公告)日
2020-01-21
发明(设计)人
林孟汉 吴伟成
申请人
申请人地址
中国台湾新竹
IPC主分类号
H01L271157
IPC分类号
代理机构
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人
章社杲;李伟
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
杨柏峰 ;
杨世海 ;
贾汉中 ;
王圣祯 ;
林佑明 .
中国专利 :CN113540117A ,2021-10-22
[2]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
杨柏峰 ;
杨世海 ;
贾汉中 ;
王圣祯 ;
林佑明 .
中国专利 :CN113540117B ,2024-10-18
[3]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
林孟汉 ;
吴伟成 .
中国专利 :CN110867445B ,2020-03-06
[4]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
周沛瑜 ;
许家铭 ;
李资良 .
中国专利 :CN115424982A ,2022-12-02
[5]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
杨海宁 ;
R·C·汪 .
中国专利 :CN101055873A ,2007-10-17
[6]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
王晨晨 ;
吕俊颉 ;
徐志安 ;
林佑明 ;
杨世海 .
中国专利 :CN113764457A ,2021-12-07
[7]
半导体器件结构及其形成方法 [P]. 
詹景文 ;
黄昶智 ;
谢智仁 ;
王怡情 ;
曾国权 ;
黄国钦 ;
庄学理 .
中国专利 :CN121001345A ,2025-11-21
[8]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
胡恬 ;
胡毓祥 ;
郭宏瑞 ;
余振华 .
中国专利 :CN111129254B ,2020-05-08
[9]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
钱仕兵 .
中国专利 :CN112582414B ,2021-03-30
[10]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
吴仓聚 ;
林士哲 ;
蔡承竣 ;
巫秉融 ;
柯皓文 .
中国专利 :CN119517754A ,2025-02-25