半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710091046.9

申请日：

2007-04-06

公开(公告)号：

CN101055873A

公开(公告)日：

2007-10-17

发明(设计)人：

杨海宁 R·C·汪

申请人：

申请人地址：

美国纽约阿芒克

IPC主分类号：

H01L2711

IPC分类号：

H01L2978 H01L218244 H01L21336

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

朱海波

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-10-17	公开	公开
2011-06-15	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101079132919 IPC(主分类):H01L 27/11 专利号:ZL2007100910469 申请日:20070406 授权公告日:20090617 终止日期:20100406
2007-12-12	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-06-17	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

杨海宁 ;

杰克·A.·曼德尔曼 ;

李伟健 .

中国专利 :CN101159256A ,2008-04-09

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

K·巴拉克里施南 ;

程慷果 ;

P·哈舍米 ;

A·雷兹奈斯克 .

中国专利 :CN106024887A ,2016-10-12

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

林孟汉 ;

吴伟成 .

中国专利 :CN110718554B ,2020-01-21

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

范智翔 ;

沈宗翰 ;

林加明 ;

李威缙 ;

李显铭 ;

徐志安 .

中国专利 :CN113889532A ,2022-01-04

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

李东颖 ;

余绍铭 ;

林毓超 .

中国专利 :CN113113445B ,2024-03-08

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

黄柏瑜 ;

吴仕杰 ;

吴以雯 ;

李振铭 ;

王美匀 .

中国专利 :CN119744001A ,2025-04-01

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

庄学理 ;

江典蔚 ;

陈家庠 ;

施孟君 ;

王清煌 .

中国专利 :CN112151668A ,2020-12-29

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

范智翔 ;

沈宗翰 ;

林加明 ;

李威缙 ;

李显铭 ;

徐志安 .

中国专利 :CN113889532B ,2025-05-02

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

李东颖 ;

余绍铭 ;

林毓超 .

中国专利 :CN113113445A ,2021-07-13

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

杨柏峰 ;

杨世海 ;

贾汉中 ;

王圣祯 ;

林佑明 .

中国专利 :CN113540117A ,2021-10-22

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