半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411172219.X

申请日：

2024-08-26

公开(公告)号：

CN119517754A

公开(公告)日：

2025-02-25

发明(设计)人：

吴仓聚林士哲蔡承竣巫秉融柯皓文

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L21/50

IPC分类号：

H01L21/60 H01L23/48 H01L23/367

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/50申请日:20240826
2025-02-25	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

丁国强 ;

叶松峯 ;

宋大豪 ;

张根育 .

中国专利 :CN119601552A ,2025-03-11

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

许家豪 ;

洪建玮 ;

丁国强 ;

叶松峯 .

中国专利 :CN117438420A ,2024-01-23

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

王志鸿 ;

陈承先 ;

郭庭豪 ;

赖昱嘉 .

中国专利 :CN118888541A ,2024-11-01

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

周孟翰 ;

刘书豪 ;

陈国儒 ;

陈亮吟 ;

张惠政 ;

杨育佳 .

中国专利 :CN113793834A ,2021-12-14

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

何柏慷 ;

黄才育 ;

陈建豪 .

中国专利 :CN120936086A ,2025-11-11

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

林士尧 ;

吴沛修 ;

王志平 ;

林志翰 ;

林志忠 ;

周昀亭 ;

吴振宇 .

中国专利 :CN113224007A ,2021-08-06

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

沙哈吉·B·摩尔 ;

钱德拉谢卡尔·普拉卡斯·萨万特 .

中国专利 :CN113745221A ,2021-12-03

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

K·巴拉克里施南 ;

程慷果 ;

P·哈舍米 ;

A·雷兹奈斯克 .

中国专利 :CN106024887A ,2016-10-12

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

董雨陇 ;

梁铭彰 ;

陈芳 .

中国专利 :CN109244060A ,2019-01-18

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

林孟汉 ;

吴伟成 .

中国专利 :CN110718554B ,2020-01-21

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