静电保护二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010511191.X

申请日：

2010-10-19

公开(公告)号：

CN102456747B

公开(公告)日：

2012-05-16

发明(设计)人：

王邦麟苏庆

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L29861

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

丁纪铁

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-12-18	授权	授权
2012-05-16	公开	公开
2014-01-22	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101687089519 IPC(主分类):H01L 29/861 专利号:ZL201010511191X 变更事项:专利权人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20131226
2012-06-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101274710367 IPC(主分类):H01L 29/861 专利申请号:201010511191X 申请日:20101019

共 50 条

[1]

PIN二极管和静电保护结构 [P].

马精瑞 .

中国专利 :CN209993566U ,2020-01-24

[2]

防静电保护二极管结构 [P].

曹燕军 ;

金银龙 ;

徐青青 ;

江超 .

中国专利 :CN201838591U ,2011-05-18

[3]

一种静电保护二极管 [P].

杨玉茹 ;

雷玮 .

中国专利 :CN205016534U ,2016-02-03

[4]

一种二极管静电保护管 [P].

邓清英 ;

金燕 ;

朱林敏 ;

顾海凤 ;

金东 ;

汪成红 ;

朱坚华 ;

赵冬琴 .

中国专利 :CN222421953U ,2025-01-28

[5]

一种静电放电保护二极管 [P].

黎坡 ;

张拥华 ;

周建华 ;

彭树根 .

中国专利 :CN101540320A ,2009-09-23

[6]

PIN二极管及其形成方法、静电保护结构 [P].

马精瑞 .

中国专利 :CN112289685A ,2021-01-29

[7]

PIN二极管及其形成方法、静电保护结构 [P].

马精瑞 .

中国专利 :CN112289685B ,2024-12-06

[8]

集成式二极管链功率MOS防静电保护结构 [P].

赵建明 ;

徐开凯 ;

廖智 ;

黄平 ;

赵国 ;

钟思翰 ;

徐彭飞 ;

胡兴微 ;

蒋澎湃 .

中国专利 :CN104505390B ,2015-04-08

[9]

TVS瞬态抑制二极管ESD静电保护管散热结构 [P].

仲先敏 ;

杨成政 .

中国专利 :CN214898423U ,2021-11-26

[10]

一种用于静电保护PIN二极管及其制造方法 [P].

魏鸿基 ;

孙帆 ;

陈国基 ;

何湘阳 .

中国专利 :CN108321210A ,2018-07-24

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