PIN二极管和静电保护结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201921152036.6

申请日：

2019-07-22

公开(公告)号：

CN209993566U

公开(公告)日：

2020-01-24

发明(设计)人：

马精瑞

申请人：

申请人地址：

230001 安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

IPC主分类号：

H01L21329

IPC分类号：

H01L29868 H01L2906

代理机构：

上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294

代理人：

孙佳胤;高德志

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-01-24	授权	授权

共 50 条

[1]

静电保护二极管 [P].

王邦麟 ;

苏庆 .

中国专利 :CN102456747B ,2012-05-16

[2]

PIN二极管及其形成方法、静电保护结构 [P].

马精瑞 .

中国专利 :CN112289685A ,2021-01-29

[3]

PIN二极管及其形成方法、静电保护结构 [P].

马精瑞 .

中国专利 :CN112289685B ,2024-12-06

[4]

防静电保护二极管结构 [P].

曹燕军 ;

金银龙 ;

徐青青 ;

江超 .

中国专利 :CN201838591U ,2011-05-18

[5]

PIN二极管 [P].

西村良和 ;

山本浩史 ;

内野猛善 .

中国专利 :CN102687276B ,2012-09-19

[6]

PIN二极管 [P].

西村良和 ;

山本浩史 ;

内野猛善 .

中国专利 :CN102714226B ,2012-10-03

[7]

一种静电保护二极管 [P].

杨玉茹 ;

雷玮 .

中国专利 :CN205016534U ,2016-02-03

[8]

一种二极管静电保护管 [P].

邓清英 ;

金燕 ;

朱林敏 ;

顾海凤 ;

金东 ;

汪成红 ;

朱坚华 ;

赵冬琴 .

中国专利 :CN222421953U ,2025-01-28

[9]

集成式二极管链功率MOS防静电保护结构 [P].

赵建明 ;

徐开凯 ;

廖智 ;

黄平 ;

赵国 ;

钟思翰 ;

徐彭飞 ;

胡兴微 ;

蒋澎湃 .

中国专利 :CN104505390B ,2015-04-08

[10]

PIN二极管 [P].

孔明 .

中国专利 :CN203967094U ,2014-11-26

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