PIN二极管及其形成方法、静电保护结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910661101.6

申请日：

2019-07-22

公开(公告)号：

CN112289685A

公开(公告)日：

2021-01-29

发明(设计)人：

马精瑞

申请人：

申请人地址：

230001 安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

IPC主分类号：

H01L21329

IPC分类号：

H01L29868 H01L2906

代理机构：

上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294

代理人：

孙佳胤;高德志

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/329 申请日:20190722
2021-01-29	公开	公开

共 50 条

[1]

PIN二极管及其形成方法、静电保护结构 [P].

马精瑞 .

中国专利 :CN112289685B ,2024-12-06

[2]

PIN二极管和静电保护结构 [P].

马精瑞 .

中国专利 :CN209993566U ,2020-01-24

[3]

一种用于静电保护PIN二极管及其制造方法 [P].

魏鸿基 ;

孙帆 ;

陈国基 ;

何湘阳 .

中国专利 :CN108321210A ,2018-07-24

[4]

静电保护二极管 [P].

王邦麟 ;

苏庆 .

中国专利 :CN102456747B ,2012-05-16

[5]

二极管及其形成方法 [P].

曹云 .

中国专利 :CN105576043B ,2016-05-11

[6]

防静电保护二极管结构 [P].

曹燕军 ;

金银龙 ;

徐青青 ;

江超 .

中国专利 :CN201838591U ,2011-05-18

[7]

光电二极管及其形成方法 [P].

方欣欣 ;

夏春秋 ;

柯天麒 .

中国专利 :CN110061100A ,2019-07-26

[8]

发光二极管及其形成方法 [P].

黄禄珍 .

中国专利 :CN101635323A ,2010-01-27

[9]

栅控二极管及其形成方法 [P].

张立伦 ;

戴维·M.·弗赖德 ;

温·K.·卢克 ;

罗伯特·H.·邓纳德 .

中国专利 :CN101005099A ,2007-07-25

[10]

发光二极管及其形成方法 [P].

詹玄塘 .

中国专利 :CN101527340B ,2009-09-09

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