二极管及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610130584.3

申请日：

2016-03-08

公开(公告)号：

CN105576043B

公开(公告)日：

2016-05-11

发明(设计)人：

曹云

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L29861

IPC分类号：

H01L2906 H01L21329

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

高静;吴敏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-04	授权	授权
2016-06-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101663914005 IPC(主分类):H01L 29/861 专利申请号:2016101305843 申请日:20160308
2016-05-11	公开	公开

共 50 条

[1]

发光二极管及其形成方法 [P].

黄禄珍 .

中国专利 :CN101635323A ,2010-01-27

[2]

栅控二极管及其形成方法 [P].

张立伦 ;

戴维·M.·弗赖德 ;

温·K.·卢克 ;

罗伯特·H.·邓纳德 .

中国专利 :CN101005099A ,2007-07-25

[3]

发光二极管及其形成方法 [P].

詹玄塘 .

中国专利 :CN101527340B ,2009-09-09

[4]

肖特基二极管及其形成方法 [P].

苟鸿雁 ;

唐树澍 .

中国专利 :CN102789979A ,2012-11-21

[5]

肖特基二极管及其形成方法 [P].

穆罕默德·T·库杜斯 ;

杜尚晖 ;

A·罗斯帕尔 .

中国专利 :CN101315952B ,2008-12-03

[6]

变容二极管及其形成方法 [P].

王楠 ;

潘梓诚 .

中国专利 :CN108574017A ,2018-09-25

[7]

二极管及其形成方法 [P].

陈晓伦 .

中国专利 :CN119364833A ,2025-01-24

[8]

二极管及其形成方法 [P].

陈晓伦 .

中国专利 :CN119364833B ,2025-05-06

[9]

发光二极管及其形成方法 [P].

纪秉夆 ;

曾颀尧 ;

陈柏松 ;

汪琼 ;

邢琨 ;

冷鑫钰 .

中国专利 :CN110085711B ,2019-08-02

[10]

光电二极管及其形成方法 [P].

方欣欣 ;

夏春秋 ;

柯天麒 .

中国专利 :CN110061100A ,2019-07-26

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