二极管及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411941230.8

申请日：

2024-12-26

公开(公告)号：

CN119364833A

公开(公告)日：

2025-01-24

发明(设计)人：

陈晓伦

申请人：

宁波众芯半导体有限公司

申请人地址：

315336 浙江省宁波市慈溪市银湾东路388号

IPC主分类号：

H10D62/10

IPC分类号：

H10D8/00 H10D8/01

代理机构：

北京市集佳律师事务所 16095

代理人：

张振军

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-06	授权	授权
2025-02-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 62/10申请日:20241226
2025-01-24	公开	公开

共 50 条

[1]

二极管及其形成方法 [P].

陈晓伦 .

中国专利 :CN119364833B ,2025-05-06

[2]

二极管及其形成方法 [P].

曹云 .

中国专利 :CN105576043B ,2016-05-11

[3]

肖特基二极管及其形成方法 [P].

苟鸿雁 ;

唐树澍 .

中国专利 :CN102789979A ,2012-11-21

[4]

ZnO二极管及其形成方法 [P].

姜东勋 ;

宋利宪 ;

金昌桢 ;

朴永洙 .

中国专利 :CN101202314A ,2008-06-18

[5]

肖特基二极管及其形成方法 [P].

穆罕默德·T·库杜斯 ;

杜尚晖 ;

A·罗斯帕尔 .

中国专利 :CN101315952B ,2008-12-03

[6]

肖特基二极管及其形成方法 [P].

陈宗高 ;

陈轶群 ;

王海强 ;

蒲贤勇 .

中国专利 :CN105449005B ,2018-12-07

[7]

变容二极管及其形成方法 [P].

王楠 ;

潘梓诚 .

中国专利 :CN108574017A ,2018-09-25

[8]

发光二极管及其形成方法 [P].

纪秉夆 ;

曾颀尧 ;

陈柏松 ;

汪琼 ;

邢琨 ;

冷鑫钰 .

中国专利 :CN110085711B ,2019-08-02

[9]

快恢复二极管及其形成方法 [P].

潘嘉 .

中国专利 :CN120224702A ,2025-06-27

[10]

发光二极管及其形成方法 [P].

余振华 ;

余佳霖 ;

邱文智 ;

陈鼎元 ;

林宏达 .

中国专利 :CN104659163A ,2015-05-27

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