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电迁移测试结构
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN201621360987.9
申请日
:
2016-12-12
公开(公告)号
:
CN206332024U
公开(公告)日
:
2017-07-14
发明(设计)人
:
单文光
宋永梁
申请人
:
申请人地址
:
100176 北京市大兴区经济技术开发区(亦庄)文昌大道18号
IPC主分类号
:
H01L23544
IPC分类号
:
代理机构
:
上海光华专利事务所 31219
代理人
:
余明伟
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2017-07-14
授权
授权
共 50 条
[1]
电迁移测试结构
[P].
赵祥富
论文数:
0
引用数:
0
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0
赵祥富
.
中国专利
:CN204720446U
,2015-10-21
[2]
电迁移测试方法及结构
[P].
冯军宏
论文数:
0
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0
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0
冯军宏
.
中国专利
:CN104576613A
,2015-04-29
[3]
电迁移结构和电迁移测试方法
[P].
陈芳
论文数:
0
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0
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0
陈芳
.
中国专利
:CN104835802A
,2015-08-12
[4]
电迁移测试结构及电迁移测试方法
[P].
吴龙
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吴龙
;
王帆
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王帆
.
中国专利
:CN112864131A
,2021-05-28
[5]
电迁移测试结构及电迁移测试方法
[P].
吴龙
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机构:
武汉新芯集成电路制造有限公司
武汉新芯集成电路制造有限公司
吴龙
;
王帆
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机构:
武汉新芯集成电路制造有限公司
武汉新芯集成电路制造有限公司
王帆
.
中国专利
:CN112864131B
,2024-04-16
[6]
电迁移测试结构及测试方法
[P].
范庆言
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机构:
上海华力微电子有限公司
上海华力微电子有限公司
范庆言
;
蒋昊
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机构:
上海华力微电子有限公司
上海华力微电子有限公司
蒋昊
;
朱月芹
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机构:
上海华力微电子有限公司
上海华力微电子有限公司
朱月芹
.
中国专利
:CN120261449A
,2025-07-04
[7]
电迁移测试结构
[P].
甘正浩
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甘正浩
.
中国专利
:CN102655137A
,2012-09-05
[8]
电迁移测试结构
[P].
赵敏
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赵敏
;
陈雷刚
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陈雷刚
;
周柯
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周柯
.
中国专利
:CN106449462A
,2017-02-22
[9]
电迁移测试结构
[P].
王焱
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王焱
;
尹彬锋
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尹彬锋
;
陈雷刚
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陈雷刚
;
周柯
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周柯
;
高金德
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高金德
.
中国专利
:CN111653550A
,2020-09-11
[10]
电迁移测试结构
[P].
王笃林
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王笃林
;
郑雅文
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郑雅文
;
胡永锋
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胡永锋
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陆黎明
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陆黎明
.
中国专利
:CN103809062A
,2014-05-21
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