一种铜铟镓硒太阳能电池薄膜缓冲层材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811135089.7

申请日：

2018-09-28

公开(公告)号：

CN109285919A

公开(公告)日：

2019-01-29

发明(设计)人：

王敏韩桂林

申请人：

申请人地址：

213000 江苏省常州市天宁区桃园二村2幢乙单元102室

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

H01L310392 H01L310445

代理机构：

代理人：

法律状态：

发明专利申请公布后的撤回

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-12	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):H01L 31/18 申请公布日:20190129
2019-01-29	公开	公开
2019-03-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20180928

共 50 条

[1]

一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层材料制备方法 [P].

宋桂林 ;

王天兴 ;

杨海刚 ;

夏存军 ;

李超 ;

李苗苗 ;

尤天友 ;

常方高 .

中国专利 :CN102610690A ,2012-07-25

[2]

一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层材料的制备方法 [P].

魏爱香 ;

刘军 ;

赵湘辉 ;

招瑜 ;

刘俊 .

中国专利 :CN102544237A ,2012-07-04

[3]

缓冲层、铜铟镓硒薄膜太阳能电池及制备方法 [P].

杨春雷 ;

梁博文 ;

李伟民 ;

马诗佳 .

中国专利 :CN118186352B ,2025-10-03

[4]

缓冲层、铜铟镓硒薄膜太阳能电池及制备方法 [P].

杨春雷 ;

梁博文 ;

李伟民 ;

马诗佳 .

中国专利 :CN118186352A ,2024-06-14

[5]

缓冲层、铜铟镓硒薄膜太阳能电池及制备方法 [P].

杨春雷 ;

陈璐璐 ;

李伟民 .

中国专利 :CN118186353A ,2024-06-14

[6]

无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层薄膜的制备方法 [P].

孙云 ;

李长健 ;

刘唯一 ;

何清 ;

李凤岩 ;

周志强 ;

敖建平 ;

孙国忠 .

中国专利 :CN1547262A ,2004-11-17

[7]

铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯片的缓冲层及其制备方法、铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯片 [P].

曲铭浩 ;

黄昭雄 ;

蔡爱玲 ;

汝小宁 ;

刘闯 ;

蒋宗佑 ;

袁渝 .

中国专利 :CN110752266A ,2020-02-04

[8]

铜铟镓硒薄膜太阳能电池制备装置 [P].

刘壮 ;

肖旭东 ;

杨世航 ;

王晓峰 ;

张撷秋 ;

马续航 ;

卢兰兰 ;

宋秋明 ;

钟国华 .

中国专利 :CN101958371A ,2011-01-26

[9]

一种高致密性铜铟镓硒太阳能电池薄膜材料的制备方法 [P].

朱伯媛 .

中国专利 :CN109904258A ,2019-06-18

[10]

铜铟镓硒薄膜太阳能电池的缓冲层沉积装置 [P].

罗明新 ;

刘晓燚 ;

任宇航 .

中国专利 :CN112599640B ,2021-04-02

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