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铌酸锂半导体结构及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202011438154.0
申请日：
2020-12-10
公开(公告)号：
CN112582534A
公开(公告)日：
2021-03-30
发明(设计)人：
张国权
钱月照
张煜晨
许京军
申请人：
申请人地址：
300110 天津市南开区卫津路94号
IPC主分类号：
H01L4308
IPC分类号：
H01L4310
H01L4312
代理机构：
北京华进京联知识产权代理有限公司 11606
代理人：
魏朋
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-03-30 | 公开 | 公开 |
| 2021-04-16 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 43/08 申请日:20201210 |
| 2021-12-17 | 授权 | 授权 |