铌酸锂器件的制备方法及其结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111045217.0

申请日：

2021-09-07

公开(公告)号：

CN115774302B

公开(公告)日：

2025-08-05

发明(设计)人：

贾连希曾宪峰

申请人：

中国科学院上海微系统与信息技术研究所

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

G02B6/138

IPC分类号：

G02B6/122

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

贺妮妮

法律状态：

授权

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-05	授权	授权

共 50 条

[1]

铌酸锂纳米结构及其制备方法和应用 [P].

李俊杰 ;

刘宇男 ;

王博 .

中国专利 :CN117950265A ,2024-04-30

[2]

一种刻蚀铌酸锂材料的方法及铌酸锂器件 [P].

刘鹏 .

中国专利 :CN120889041A ,2025-11-04

[3]

一种薄膜铌酸锂光波导制备方法及薄膜铌酸锂光波导 [P].

孙兵兵 ;

陈娟 ;

杨晓丹 .

中国专利 :CN121232364A ,2025-12-30

[4]

铌酸锂紫外超构透镜及其制备方法 [P].

李俊杰 ;

刘宇男 ;

王博 ;

胡乐勇 ;

杨海方 .

中国专利 :CN118732385A ,2024-10-01

[5]

一种铌酸锂薄膜波导器件及其制备方法 [P].

杨志远 ;

李鑫 ;

陶艺 ;

马世超 ;

郑名扬 ;

刘洋 ;

谢秀平 .

中国专利 :CN116953850B ,2024-01-19

[6]

一种铌酸锂光波导器件及其制备方法 [P].

帅垚 ;

高琴 ;

吴传贵 ;

罗文博 ;

乔石珺 ;

张万里 .

中国专利 :CN111175892A ,2020-05-19

[7]

一种铌酸锂晶体制备方法及铌酸锂器件 [P].

谢柳平 ;

权纪亮 ;

柯观振 ;

黄晋强 ;

赵维 .

中国专利 :CN120291195A ,2025-07-11

[8]

一种基于铌酸锂薄膜的光电器件及其制备方法 [P].

尹志军 ;

崔国新 ;

许志城 .

中国专利 :CN111061072A ,2020-04-24

[9]

铌酸锂薄膜超晶格的制备方法 [P].

尹志军 ;

崔国新 ;

叶志霖 ;

许志城 .

中国专利 :CN112195520B ,2021-01-08

[10]

铌酸锂半导体结构及其制备方法 [P].

张国权 ;

钱月照 ;

张煜晨 ;

许京军 .

中国专利 :CN112582534A ,2021-03-30

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