一种刻蚀铌酸锂材料的方法及铌酸锂器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511058319.4

申请日：

2025-07-30

公开(公告)号：

CN120889041A

公开(公告)日：

2025-11-04

发明(设计)人：

刘鹏

申请人：

北京中科源芯光电科技有限公司

申请人地址：

101111 北京市大兴区北京经济技术开发区科谷一街10号院8号楼6层601

IPC主分类号：

C30B33/12

IPC分类号：

H01L21/3065 H01L21/308 G03F7/20 C30B33/00 C30B29/30 C30B33/02 C23C16/40 C23C16/50

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

尚亚青

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-04	公开	公开
2025-11-21	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 33/12申请日:20250730

共 50 条

[1]

用于铌酸锂材料的刻蚀方法 [P].

张海苗 .

中国专利 :CN110364441B ,2019-10-22

[2]

一种铌酸锂纳米器件的刻蚀方法 [P].

江安全 ;

敖孟寒 .

中国专利 :CN114496804B ,2025-07-08

[3]

一种铌酸锂纳米器件的刻蚀方法 [P].

江安全 ;

敖孟寒 .

中国专利 :CN114496804A ,2022-05-13

[4]

一种铌酸锂晶体制备方法及铌酸锂器件 [P].

谢柳平 ;

权纪亮 ;

柯观振 ;

黄晋强 ;

赵维 .

中国专利 :CN120291195A ,2025-07-11

[5]

一种铌酸锂基板的刻蚀方法 [P].

杜永权 ;

郭春祥 ;

任华 ;

许开东 .

中国专利 :CN118621442A ,2024-09-10

[6]

一种铌酸锂薄膜波导的湿法刻蚀方法及铌酸锂薄膜波导 [P].

尹志军 ;

崔国新 ;

叶志霖 ;

许志城 .

中国专利 :CN112269225B ,2021-01-26

[7]

铌酸锂器件的制备方法及其结构 [P].

贾连希 ;

曾宪峰 .

中国专利 :CN115774302B ,2025-08-05

[8]

一种铌酸锂薄膜刻蚀方法 [P].

郑煜 ;

唐昕 ;

成杰 ;

段吉安 .

中国专利 :CN114823350A ,2022-07-29

[9]

一种铌酸锂材料刻蚀及提高侧壁角度的优化方法 [P].

江安全 ;

陈一凡 ;

庄晓 ;

江钧 ;

汪超 .

中国专利 :CN112768348B ,2021-05-07

[10]

一种铌酸锂晶体的激光切割方法及铌酸锂晶粒 [P].

夏凯 ;

杨付飞 ;

雷小锋 ;

范小康 ;

樊世华 ;

左思华 ;

郑一鸣 ;

胡希睿 .

中国专利 :CN119566556A ,2025-03-07

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