一种铌酸锂薄膜刻蚀方法

被引：0

申请号：

CN202210400657.1

申请日：

2022-04-17

公开(公告)号：

CN114823350A

公开(公告)日：

2022-07-29

发明(设计)人：

郑煜唐昕成杰段吉安

申请人：

申请人地址：

410083 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号

IPC主分类号：

H01L21467

IPC分类号：

H01L21027 H01L21033 B82Y4000

代理机构：

长沙启昊知识产权代理事务所(普通合伙) 43266

代理人：

张海应

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/467 申请日:20220417
2022-07-29	公开	公开

共 50 条

[1]

一种铌酸锂薄膜波导的湿法刻蚀方法及铌酸锂薄膜波导 [P].

尹志军 ;

崔国新 ;

叶志霖 ;

许志城 .

中国专利 :CN112269225B ,2021-01-26

[2]

一种薄膜铌酸锂光波导芯片的刻蚀方法 [P].

侯松岩 ;

朱铖奕 ;

刘志宏 ;

游淑珍 ;

邢伟川 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN120507834A ,2025-08-19

[3]

一种铌酸锂基板的刻蚀方法 [P].

杜永权 ;

郭春祥 ;

任华 ;

许开东 .

中国专利 :CN118621442A ,2024-09-10

[4]

一种薄膜铌酸锂干法深刻蚀工艺 [P].

李永卓 ;

李哲 ;

冯雪 ;

孔德阳 ;

崔开宇 ;

黄翊东 ;

张巍 ;

刘仿 ;

孙皓 .

中国专利 :CN117865218A ,2024-04-12

[5]

一种薄膜铌酸锂光波导制备方法及薄膜铌酸锂光波导 [P].

孙兵兵 ;

陈娟 ;

杨晓丹 .

中国专利 :CN121232364A ,2025-12-30

[6]

一种刻蚀铌酸锂材料的方法及铌酸锂器件 [P].

刘鹏 .

中国专利 :CN120889041A ,2025-11-04

[7]

用于铌酸锂材料的刻蚀方法 [P].

张海苗 .

中国专利 :CN110364441B ,2019-10-22

[8]

一种力学传感器用铌酸锂单晶薄膜图形化刻蚀方法 [P].

丑修建 ;

毕开西 ;

薛刚 ;

耿文平 ;

张乐 ;

杨翔宇 .

中国专利 :CN112125276A ,2020-12-25

[9]

一种干法刻蚀铌酸锂的方法 [P].

冯英雄 ;

戴海成 ;

刘建 ;

车东晨 ;

彭泰彦 ;

许开东 .

中国专利 :CN115506032B ,2025-03-11

[10]

一种铌酸锂纳米器件的刻蚀方法 [P].

江安全 ;

敖孟寒 .

中国专利 :CN114496804B ,2025-07-08

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