一种铌酸锂纳米器件的刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210080620.5

申请日：

2022-01-24

公开(公告)号：

CN114496804B

公开(公告)日：

2025-07-08

发明(设计)人：

江安全敖孟寒

申请人：

复旦大学

申请人地址：

200433 上海市杨浦区邯郸路220号

IPC主分类号：

H01L21/461

IPC分类号：

H01L21/033 B82Y10/00 B82Y40/00 C30B29/30 C30B33/10

代理机构：

上海正旦专利代理有限公司 31200

代理人：

陆飞;陆尤

法律状态：

授权

国省代码：

上海市市辖区

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-08	授权	授权

共 50 条

[1]

一种铌酸锂纳米器件的刻蚀方法 [P].

江安全 ;

敖孟寒 .

中国专利 :CN114496804A ,2022-05-13

[2]

一种刻蚀铌酸锂材料的方法及铌酸锂器件 [P].

刘鹏 .

中国专利 :CN120889041A ,2025-11-04

[3]

一种铌酸锂基板的刻蚀方法 [P].

杜永权 ;

郭春祥 ;

任华 ;

许开东 .

中国专利 :CN118621442A ,2024-09-10

[4]

用于铌酸锂材料的刻蚀方法 [P].

张海苗 .

中国专利 :CN110364441B ,2019-10-22

[5]

一种铌酸锂薄膜刻蚀方法 [P].

郑煜 ;

唐昕 ;

成杰 ;

段吉安 .

中国专利 :CN114823350A ,2022-07-29

[6]

一种铌酸锂材料刻蚀及提高侧壁角度的优化方法 [P].

江安全 ;

陈一凡 ;

庄晓 ;

江钧 ;

汪超 .

中国专利 :CN112768348B ,2021-05-07

[7]

一种干法刻蚀铌酸锂的方法 [P].

冯英雄 ;

戴海成 ;

刘建 ;

车东晨 ;

彭泰彦 ;

许开东 .

中国专利 :CN115506032B ,2025-03-11

[8]

一种干法刻蚀铌酸锂的方法 [P].

冯英雄 ;

戴海成 ;

刘建 ;

车东晨 ;

彭泰彦 ;

许开东 .

中国专利 :CN115506032A ,2022-12-23

[9]

一种薄膜铌酸锂光波导芯片的刻蚀方法 [P].

侯松岩 ;

朱铖奕 ;

刘志宏 ;

游淑珍 ;

邢伟川 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN120507834A ,2025-08-19

[10]

一种铌酸锂薄膜波导的湿法刻蚀方法及铌酸锂薄膜波导 [P].

尹志军 ;

崔国新 ;

叶志霖 ;

许志城 .

中国专利 :CN112269225B ,2021-01-26

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