一种干法刻蚀铌酸锂的方法

被引：0

申请号：

CN202110697917.1

申请日：

2021-06-23

公开(公告)号：

CN115506032A

公开(公告)日：

2022-12-23

发明(设计)人：

冯英雄戴海成刘建车东晨彭泰彦许开东

申请人：

申请人地址：

221300 江苏省徐州市邳州市经济开发区辽河西路8号

IPC主分类号：

C30B3312

IPC分类号：

C30B2930

代理机构：

南京经纬专利商标代理有限公司 32200

代理人：

李想

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 33/12 申请日:20210623
2022-12-23	公开	公开

共 50 条

[1]

一种干法刻蚀铌酸锂的方法 [P].

冯英雄 ;

戴海成 ;

刘建 ;

车东晨 ;

彭泰彦 ;

许开东 .

中国专利 :CN115506032B ,2025-03-11

[2]

铌酸锂微纳结构、用于形成其的干法刻蚀方法及其应用 [P].

林雨 ;

张伟 ;

李玉雄 ;

曾中明 .

中国专利 :CN117446747A ,2024-01-26

[3]

一种干法刻蚀方法 [P].

黄海 ;

洪齐元 .

中国专利 :CN103871847A ,2014-06-18

[4]

一种干法刻蚀方法 [P].

李树宏 ;

李三三 ;

刘一川 ;

汤伟杰 .

中国专利 :CN111029254A ,2020-04-17

[5]

一种干法刻蚀方法 [P].

汪之涵 ;

和巍巍 ;

温正欣 .

中国专利 :CN118507343A ,2024-08-16

[6]

一种干法刻蚀通孔的方法 [P].

汪之涵 ;

傅俊寅 ;

温正欣 .

中国专利 :CN117096102B ,2024-01-23

[7]

干法刻蚀方法 [P].

汪新学 ;

王伟军 .

中国专利 :CN102254812A ,2011-11-23

[8]

干法刻蚀方法 [P].

崔红星 ;

代大全 ;

吕睿 ;

李大勇 .

中国专利 :CN101211751A ,2008-07-02

[9]

一种薄膜铌酸锂干法深刻蚀工艺 [P].

李永卓 ;

李哲 ;

冯雪 ;

孔德阳 ;

崔开宇 ;

黄翊东 ;

张巍 ;

刘仿 ;

孙皓 .

中国专利 :CN117865218A ,2024-04-12

[10]

干法刻蚀第一金属层的方法 [P].

张瑜 ;

黄君 ;

李程 .

中国专利 :CN102403269A ,2012-04-04

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