一种干法刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410554030.0

申请日：

2024-05-06

公开(公告)号：

CN118507343A

公开(公告)日：

2024-08-16

发明(设计)人：

汪之涵和巍巍温正欣

申请人：

深圳基本半导体有限公司

申请人地址：

518000 广东省深圳市坪山区坑梓街道办事处秀新社区锦绣中路14号深福保现代光学厂区B栋201

IPC主分类号：

H01L21/311

IPC分类号：

C09K13/00

代理机构：

成都恪睿信专利代理事务所(普通合伙) 51303

代理人：

陈兴强

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

广东省深圳市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-09-03	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/311申请日:20240506
2024-08-16	公开	公开
2025-01-03	著录事项变更	著录事项变更IPC(主分类):H01L 21/311变更事项:申请人变更前:深圳基本半导体有限公司变更后:深圳基本半导体股份有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:广东省深圳市南山区高新区南区南环路29号留学生创业大厦二期22楼变更后:518000 广东省深圳市坪山区龙田街道老坑社区光科一路6号青铜剑科技大厦1栋801

共 50 条

[1]

干法刻蚀方法 [P].

崔红星 ;

代大全 ;

吕睿 ;

李大勇 .

中国专利 :CN101211751A ,2008-07-02

[2]

干法刻蚀连接孔的方法 [P].

王新鹏 ;

尹晓明 .

中国专利 :CN101930917A ,2010-12-29

[3]

一种干法刻蚀方法 [P].

黄海 ;

洪齐元 .

中国专利 :CN103871847A ,2014-06-18

[4]

干法刻蚀机台及干法刻蚀方法 [P].

李国强 ;

衣新燕 .

中国专利 :CN117096067B ,2024-03-01

[5]

一种干法刻蚀方法 [P].

李树宏 ;

李三三 ;

刘一川 ;

汤伟杰 .

中国专利 :CN111029254A ,2020-04-17

[6]

一种干法刻蚀方法 [P].

邹浩 ;

丁振宇 ;

刘志攀 ;

陈幸 .

中国专利 :CN107123596A ,2017-09-01

[7]

干法刻蚀机台及干法刻蚀方法 [P].

高鹏飞 ;

丁玎 .

中国专利 :CN109755159B ,2019-05-14

[8]

干法刻蚀方法 [P].

丁向前 ;

刘耀 ;

陈曦 ;

李梁梁 ;

白金超 ;

刘晓伟 .

中国专利 :CN103996621A ,2014-08-20

[9]

一种用于干法刻蚀硅槽的方法 [P].

付智辉 ;

蒋方圆 ;

丁佳 ;

曹俊 ;

王毅 .

中国专利 :CN107895694A ,2018-04-10

[10]

一种干法刻蚀氮化铝薄膜的方法 [P].

冯英雄 ;

韩大健 ;

刘硕 ;

鞠小晶 ;

车东晨 ;

彭泰彦 ;

许开东 .

中国专利 :CN117439561A ,2024-01-23

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