一种薄膜铌酸锂干法深刻蚀工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311751382.7

申请日：

2023-12-19

公开(公告)号：

CN117865218A

公开(公告)日：

2024-04-12

发明(设计)人：

李永卓李哲冯雪孔德阳崔开宇黄翊东张巍刘仿孙皓

申请人：

清华大学

申请人地址：

100084 北京市海淀区双清路30号清华大学清华园北京100084-82信箱

IPC主分类号：

C01G33/00

IPC分类号：

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司 11002

代理人：

黄爽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-30	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C01G 33/00申请日:20231219
2024-04-12	公开	公开

共 50 条

[1]

一种干法刻蚀铌酸锂的方法 [P].

冯英雄 ;

戴海成 ;

刘建 ;

车东晨 ;

彭泰彦 ;

许开东 .

中国专利 :CN115506032B ,2025-03-11

[2]

一种干法刻蚀铌酸锂的方法 [P].

冯英雄 ;

戴海成 ;

刘建 ;

车东晨 ;

彭泰彦 ;

许开东 .

中国专利 :CN115506032A ,2022-12-23

[3]

一种薄膜铌酸锂波导刻蚀工艺的检测方法 [P].

尹志军 ;

叶志霖 ;

崔国新 ;

汤济 ;

许启诚 .

中国专利 :CN115825016B ,2025-09-16

[4]

一种铌酸锂薄膜刻蚀方法 [P].

郑煜 ;

唐昕 ;

成杰 ;

段吉安 .

中国专利 :CN114823350A ,2022-07-29

[5]

一种铌酸锂薄膜波导的湿法刻蚀方法及铌酸锂薄膜波导 [P].

尹志军 ;

崔国新 ;

叶志霖 ;

许志城 .

中国专利 :CN112269225B ,2021-01-26

[6]

一种薄膜铌酸锂光波导制备方法及薄膜铌酸锂光波导 [P].

孙兵兵 ;

陈娟 ;

杨晓丹 .

中国专利 :CN121232364A ,2025-12-30

[7]

一种薄膜铌酸锂光波导芯片的刻蚀方法 [P].

侯松岩 ;

朱铖奕 ;

刘志宏 ;

游淑珍 ;

邢伟川 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN120507834A ,2025-08-19

[8]

一种薄膜铌酸锂器件 [P].

陈泉安 ;

陆明之 .

中国专利 :CN217521451U ,2022-09-30

[9]

一种刻蚀铌酸锂材料的方法及铌酸锂器件 [P].

刘鹏 .

中国专利 :CN120889041A ,2025-11-04

[10]

一种铌酸锂单晶薄膜的制备工艺 [P].

罗毅 ;

龚瑞 ;

赵建华 ;

肖立 .

中国专利 :CN118875836A ,2024-11-01

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