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半导体装置的制造方法以及半导体装置
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110103241.9
申请日：
2021-01-26
公开(公告)号：
CN113394119A
公开(公告)日：
2021-09-14
发明(设计)人：
田中才工
申请人：
申请人地址：
日本神奈川县川崎市
IPC主分类号：
H01L2156
IPC分类号：
H01L2331
H01L2518
代理机构：
北京铭硕知识产权代理有限公司 11286
代理人：
周爽;金玉兰
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2023-01-06 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/56 申请日:20210126 |
| 2021-09-14 | 公开 | 公开 |