非易失性半导体存储器及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510003847.6

申请日：

2005-01-07

公开(公告)号：

CN100508197C

公开(公告)日：

2005-09-28

发明(设计)人：

笹子佳孝小林孝

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2710

IPC分类号：

H01L27115 H01L218239 H01L218246 H01L218247

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

黄剑锋

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-08-25	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101006948438 IPC(主分类):H01L 27/10 专利号:ZL2005100038476 变更事项:专利权人变更前:株式会社瑞萨科技变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本东京都变更后:日本神奈川县
2007-04-11	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-09-28	公开	公开
2009-07-01	授权	授权
2020-12-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/10 申请日:20050107 授权公告日:20090701 终止日期:20200107
2017-12-19	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 27/10 变更事项:专利权人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县变更后:日本东京都

共 50 条

[1]

非易失性半导体存储器及其制造方法 [P].

清水和裕 ;

竹内祐司 .

中国专利 :CN1289148A ,2001-03-28

[2]

非易失性半导体存储器及其制造方法 [P].

清水和裕 ;

竹内祐司 .

中国专利 :CN1310333C ,2005-03-09

[3]

非易失性半导体存储器的制造方法和非易失性半导体存储器 [P].

井口直 ;

角田弘昭 .

中国专利 :CN1477701A ,2004-02-25

[4]

非易失性半导体存储器 [P].

清水和裕 ;

竹内祐司 .

中国专利 :CN1310332C ,2004-09-22

[5]

非易失性半导体存储器及其制造方法 [P].

儿玉典昭 .

中国专利 :CN1971918A ,2007-05-30

[6]

非易失性半导体存储器及其制造方法 [P].

有留诚一 .

中国专利 :CN1414637A ,2003-04-30

[7]

非易失性半导体存储器及其制造方法 [P].

渡边浩志 .

中国专利 :CN101257025A ,2008-09-03

[8]

非易失性半导体存储器晶体管、非易失性半导体存储器及非易失性半导体存储器的制造方法 [P].

舛冈富士雄 ;

中村广记 .

中国专利 :CN102280492B ,2011-12-14

[9]

非易失性半导体存储器、半导体器件和非易失性半导体存储器的制造方法 [P].

三谷祐一郎 ;

松下大介 ;

大场龙二 ;

上冈功 ;

小泽良夫 .

中国专利 :CN1905213A ,2007-01-31

[10]

非易失性半导体存储器及其制造工艺 [P].

上田直树 ;

杉田靖博 ;

山内祥光 .

中国专利 :CN1220266C ,2003-06-25

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