通过在浮区结晶单晶体生长单晶体的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510940322.9

申请日：

2015-12-16

公开(公告)号：

CN105714373A

公开(公告)日：

2016-06-29

发明(设计)人：

G·拉明 L·阿尔特曼绍夫尔 G·拉特尼科斯 M·默勒 F·幕莫勒

申请人：

申请人地址：

德国慕尼黑

IPC主分类号：

C30B1300

IPC分类号：

C30B1320

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

过晓东

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-29	公开	公开
2016-07-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101671885491 IPC(主分类):C30B 13/00 专利申请号:2015109403229 申请日:20151216
2018-06-19	授权	授权

共 50 条

[1]

单晶体生长设备 [P].

李昌润 ;

宋到原 ;

崔俊赫 ;

孙赈晧 ;

金喆焕 .

中国专利 :CN105051267B ,2015-11-11

[2]

成型单晶体生长设备 [P].

德米特里·亚科莱维奇·克拉维斯基 ;

莱夫·马科维奇·萨图洛斯基 ;

莱奥尼德·彼特罗维奇·埃格罗夫 ;

伯里斯·本特斯诺维奇·彼茨 ;

莱奥尼德·萨穆洛维奇·库奥恩 ;

埃弗姆·阿莱克桑德罗维奇·弗里曼 ;

维克托·瓦希利维奇·阿维亚诺夫 ;

阿莱克桑德·沃维奇·阿利少夫 .

中国专利 :CN87108007A ,1988-06-08

[3]

单晶生长的方法、装置及单晶体 [P].

王双丽 ;

陈俊宏 .

中国专利 :CN113549997B ,2021-10-26

[4]

单晶体冰糖结晶机 [P].

高建国 ;

任学明 .

中国专利 :CN2310073Y ,1999-03-10

[5]

一种单晶体生长炉 [P].

张汪阳 ;

易明辉 ;

张浩 .

中国专利 :CN222182558U ,2024-12-17

[6]

单晶体切割方法 [P].

奥克塔维安·菲利普 ;

鲍里斯·埃佩尔鲍姆 ;

马蒂亚斯·比克尔曼 ;

阿尔布雷希特·温纳克 ;

保罗·海曼 ;

乌尔里希·赛茨 .

中国专利 :CN104428115A ,2015-03-18

[7]

浮区熔化单晶体材料制备装置 [P].

葛云龙 ;

杨院生 ;

焦育宁 ;

刘清民 ;

刘传胜 ;

胡壮麒 .

中国专利 :CN2148081Y ,1993-12-01

[8]

固态单晶体的生长方法 [P].

李壕用 ;

李钟泛 ;

许泰茂 ;

金董皓 .

中国专利 :CN1316069C ,2005-11-02

[9]

一种宝石的单晶体生长温场 [P].

梁志安 .

中国专利 :CN201850332U ,2011-06-01

[10]

一种宝石的单晶体生长监控装置 [P].

梁志安 .

中国专利 :CN201850329U ,2011-06-01

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