单晶体切割方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201380031273.6
申请日
2013-04-16
公开(公告)号
CN104428115A
公开(公告)日
2015-03-18
发明(设计)人
奥克塔维安·菲利普 鲍里斯·埃佩尔鲍姆 马蒂亚斯·比克尔曼 阿尔布雷希特·温纳克 保罗·海曼 乌尔里希·赛茨
申请人
申请人地址
德国菲尔特市
IPC主分类号
B28D504
IPC分类号
代理机构
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205
代理人
杨文娟;臧建明
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
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共 50 条
[1]
边桌(单晶体) [P]. 
罗黛诗 .
中国专利 :CN306642589S ,2021-06-29
[2]
通过在浮区结晶单晶体生长单晶体的方法 [P]. 
G·拉明 ;
L·阿尔特曼绍夫尔 ;
G·拉特尼科斯 ;
M·默勒 ;
F·幕莫勒 .
中国专利 :CN105714373A ,2016-06-29
[3]
单晶制造装置、单晶制造方法及单晶体 [P]. 
永井邦彦 ;
小平纮平 ;
田中启之 ;
坂本英树 .
中国专利 :CN1272145A ,2000-11-01
[4]
单晶生长的方法、装置及单晶体 [P]. 
王双丽 ;
陈俊宏 .
中国专利 :CN113549997B ,2021-10-26
[5]
用于分离单晶体的方法 [P]. 
R·哈默 ;
M·尤里奇 .
中国专利 :CN101861237A ,2010-10-13
[6]
单晶体锭块、用于生产单晶体锭块的设备和方法 [P]. 
崔日洙 ;
安镇佑 ;
王学义 ;
金容进 .
中国专利 :CN104937148A ,2015-09-23
[7]
单晶体的制备方法及硅晶体 [P]. 
王双丽 ;
陈俊宏 .
中国专利 :CN114438585A ,2022-05-06
[8]
单晶体的制备方法和硅晶体 [P]. 
王双丽 ;
陈俊宏 .
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[9]
单晶体的上炉体 [P]. 
潘燕萍 .
中国专利 :CN203715794U ,2014-07-16
[10]
单晶体生长设备 [P]. 
李昌润 ;
宋到原 ;
崔俊赫 ;
孙赈晧 ;
金喆焕 .
中国专利 :CN105051267B ,2015-11-11