用于分离单晶体的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880116181.7

申请日：

2008-11-14

公开(公告)号：

CN101861237A

公开(公告)日：

2010-10-13

发明(设计)人：

R·哈默 M·尤里奇

申请人：

申请人地址：

德国弗赖贝格

IPC主分类号：

B28D500

IPC分类号：

H01L2178

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

董华林

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-10-13	公开	公开
2015-06-24	授权	授权
2010-11-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101018889372 IPC(主分类):B28D 5/00 专利申请号:2008801161817 申请日:20081114

共 50 条

[1]

单晶体锭块、用于生产单晶体锭块的设备和方法 [P].

崔日洙 ;

安镇佑 ;

王学义 ;

金容进 .

中国专利 :CN104937148A ,2015-09-23

[2]

单晶体切割方法 [P].

奥克塔维安·菲利普 ;

鲍里斯·埃佩尔鲍姆 ;

马蒂亚斯·比克尔曼 ;

阿尔布雷希特·温纳克 ;

保罗·海曼 ;

乌尔里希·赛茨 .

中国专利 :CN104428115A ,2015-03-18

[3]

通过在浮区结晶单晶体生长单晶体的方法 [P].

G·拉明 ;

L·阿尔特曼绍夫尔 ;

G·拉特尼科斯 ;

M·默勒 ;

F·幕莫勒 .

中国专利 :CN105714373A ,2016-06-29

[4]

单晶生长的方法、装置及单晶体 [P].

王双丽 ;

陈俊宏 .

中国专利 :CN113549997B ,2021-10-26

[5]

单晶体的制备方法及硅晶体 [P].

王双丽 ;

陈俊宏 .

中国专利 :CN114438585A ,2022-05-06

[6]

用于生产硅单晶体的工艺 [P].

W·黑克尔 ;

G·拉特尼克斯 ;

A·扎特勒 ;

M·舒罗沃福斯 ;

J·韦尔布利斯 .

德国专利 :CN117916410A ,2024-04-19

[7]

单晶体的上炉体 [P].

潘燕萍 .

中国专利 :CN203715794U ,2014-07-16

[8]

单晶体的制备方法和硅晶体 [P].

王双丽 ;

陈俊宏 .

中国专利 :CN114481302A ,2022-05-13

[9]

单晶体的上炉体 [P].

潘燕萍 .

中国专利 :CN104711682A ,2015-06-17

[10]

单晶体缺陷的去除方法及用该方法去除缺陷的单晶体 [P].

古川纯 ;

须藤充 ;

中井哲弥 ;

藤川隆男 ;

增井卓也 .

中国专利 :CN1215205C ,2001-10-31

← 1 2 3 4 5 →