单晶体的上炉体

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310684249.4

申请日：

2013-12-12

公开(公告)号：

CN104711682A

公开(公告)日：

2015-06-17

发明(设计)人：

潘燕萍

申请人：

申请人地址：

213000 江苏省常州市新北区通江工业园港溪大道16号

IPC主分类号：

C30B3500

IPC分类号：

C30B2906

代理机构：

常州市维益专利事务所 32211

代理人：

何学成

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-06-17	公开	公开
2017-07-28	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101756274304 IPC(主分类):C30B 35/00 专利申请号:2013106842494 申请公布日:20150617

共 50 条

[1]

单晶体的上炉体 [P].

潘燕萍 .

中国专利 :CN203715794U ,2014-07-16

[2]

单晶体炉的炉体散热装置 [P].

林游辉 .

中国专利 :CN202193876U ,2012-04-18

[3]

单晶炉的上炉体 [P].

汤仁兴 .

中国专利 :CN103184526A ,2013-07-03

[4]

生长金红石单晶体的焰熔炉炉体 [P].

毕孝国 ;

关新 ;

刘旭东 ;

牛微 ;

孙旭东 .

中国专利 :CN201634791U ,2010-11-17

[5]

边桌（单晶体） [P].

罗黛诗 .

中国专利 :CN306642589S ,2021-06-29

[6]

单晶体切割方法 [P].

奥克塔维安·菲利普 ;

鲍里斯·埃佩尔鲍姆 ;

马蒂亚斯·比克尔曼 ;

阿尔布雷希特·温纳克 ;

保罗·海曼 ;

乌尔里希·赛茨 .

中国专利 :CN104428115A ,2015-03-18

[7]

通过在浮区结晶单晶体生长单晶体的方法 [P].

G·拉明 ;

L·阿尔特曼绍夫尔 ;

G·拉特尼科斯 ;

M·默勒 ;

F·幕莫勒 .

中国专利 :CN105714373A ,2016-06-29

[8]

单晶炉的上炉体 [P].

马海善 .

中国专利 :CN104451861A ,2015-03-25

[9]

单晶生长的方法、装置及单晶体 [P].

王双丽 ;

陈俊宏 .

中国专利 :CN113549997B ,2021-10-26

[10]

单晶体锭块、用于生产单晶体锭块的设备和方法 [P].

崔日洙 ;

安镇佑 ;

王学义 ;

金容进 .

中国专利 :CN104937148A ,2015-09-23

← 1 2 3 4 5 →