单晶生长的方法、装置及单晶体

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110712578.X

申请日：

2021-06-25

公开(公告)号：

CN113549997B

公开(公告)日：

2021-10-26

发明(设计)人：

王双丽陈俊宏

申请人：

申请人地址：

221004 江苏省徐州市经济技术开发区鑫芯路1号

IPC主分类号：

C30B1520

IPC分类号：

C30B2906

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

赵丽婷

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 15/20 申请日:20210625
2023-01-24	授权	授权
2021-10-26	公开	公开

共 50 条

[1]

单晶体的制备方法及硅晶体 [P].

王双丽 ;

陈俊宏 .

中国专利 :CN114438585A ,2022-05-06

[2]

单晶制造装置、单晶制造方法及单晶体 [P].

永井邦彦 ;

小平纮平 ;

田中启之 ;

坂本英树 .

中国专利 :CN1272145A ,2000-11-01

[3]

硅酸钆单晶体的生长方法 [P].

赵广军 ;

徐军 ;

何晓明 ;

介明印 ;

曾雄辉 ;

张连翰 ;

周圣明 ;

庞辉勇 ;

周国清 .

中国专利 :CN1544711A ,2004-11-10

[4]

单晶体生长设备 [P].

李昌润 ;

宋到原 ;

崔俊赫 ;

孙赈晧 ;

金喆焕 .

中国专利 :CN105051267B ,2015-11-11

[5]

通过在浮区结晶单晶体生长单晶体的方法 [P].

G·拉明 ;

L·阿尔特曼绍夫尔 ;

G·拉特尼科斯 ;

M·默勒 ;

F·幕莫勒 .

中国专利 :CN105714373A ,2016-06-29

[6]

固态单晶体的生长方法 [P].

李壕用 ;

李钟泛 ;

许泰茂 ;

金董皓 .

中国专利 :CN1316069C ,2005-11-02

[7]

一种磷锗锌单晶体的生长装置与方法 [P].

王彪 ;

牛莹莹 ;

申亮 ;

吴东 .

中国专利 :CN103194790B ,2013-07-10

[8]

单晶体的制备方法和硅晶体 [P].

王双丽 ;

陈俊宏 .

中国专利 :CN114481302A ,2022-05-13

[9]

生长碘化铅单晶体的方法及系统 [P].

贺毅 ;

金应荣 ;

王兰 ;

陈宝军 ;

何知宇 ;

栾道成 ;

盛得雪 ;

张洁 .

中国专利 :CN102912418B ,2013-02-06

[10]

生长碘化亚汞单晶体的方法及装置 [P].

贺毅 ;

金应荣 ;

陈宝军 ;

何知宇 ;

张洁 ;

龚鹏 ;

栾道成 ;

吴晓春 .

中国专利 :CN105063752A ,2015-11-18

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