单晶体的制备方法及硅晶体

被引：0

申请号：

CN202111619103.2

申请日：

2021-12-27

公开(公告)号：

CN114438585A

公开(公告)日：

2022-05-06

发明(设计)人：

王双丽陈俊宏

申请人：

申请人地址：

221004 江苏省徐州市经济技术开发区鑫芯路1号

IPC主分类号：

C30B1520

IPC分类号：

C30B2906

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

黄德海

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 15/20 申请日:20211227
2022-05-06	公开	公开

共 50 条

[1]

单晶体的制备方法和硅晶体 [P].

王双丽 ;

陈俊宏 .

中国专利 :CN114481302A ,2022-05-13

[2]

单晶生长的方法、装置及单晶体 [P].

王双丽 ;

陈俊宏 .

中国专利 :CN113549997B ,2021-10-26

[3]

单晶体切割方法 [P].

奥克塔维安·菲利普 ;

鲍里斯·埃佩尔鲍姆 ;

马蒂亚斯·比克尔曼 ;

阿尔布雷希特·温纳克 ;

保罗·海曼 ;

乌尔里希·赛茨 .

中国专利 :CN104428115A ,2015-03-18

[4]

α-三氧化二铝单晶体的制备方法 [P].

钱幼平 ;

代成 ;

唐大林 ;

代成功 ;

王俊 .

中国专利 :CN101942698B ,2011-01-12

[5]

单晶体缺陷的去除方法及用该方法去除缺陷的单晶体 [P].

古川纯 ;

须藤充 ;

中井哲弥 ;

藤川隆男 ;

增井卓也 .

中国专利 :CN1215205C ,2001-10-31

[6]

一种铁电单晶体薄片的制备方法及铁电单晶体薄片 [P].

周成 ;

张存新 ;

何亮 ;

李建敏 ;

毛伟 ;

徐云飞 ;

雷琦 ;

罗鸿志 ;

李小平 ;

刘亮 ;

熊仁根 .

中国专利 :CN115697019A ,2023-02-03

[7]

通过在浮区结晶单晶体生长单晶体的方法 [P].

G·拉明 ;

L·阿尔特曼绍夫尔 ;

G·拉特尼科斯 ;

M·默勒 ;

F·幕莫勒 .

中国专利 :CN105714373A ,2016-06-29

[8]

CuInS2单晶体的制备方法和CuInS2单晶体制备装置 [P].

赵岳 ;

丁艳丽 ;

冯月 ;

王林军 ;

彭翔 ;

梁小燕 ;

闵嘉华 ;

史伟民 .

中国专利 :CN103993355A ,2014-08-20

[9]

单晶制造装置、单晶制造方法及单晶体 [P].

永井邦彦 ;

小平纮平 ;

田中启之 ;

坂本英树 .

中国专利 :CN1272145A ,2000-11-01

[10]

用于分离单晶体的方法 [P].

R·哈默 ;

M·尤里奇 .

中国专利 :CN101861237A ,2010-10-13

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