单晶体的制备方法和硅晶体

被引：0

申请号：

CN202111619092.8

申请日：

2021-12-27

公开(公告)号：

CN114481302A

公开(公告)日：

2022-05-13

发明(设计)人：

王双丽陈俊宏

申请人：

申请人地址：

221004 江苏省徐州市经济技术开发区鑫芯路1号

IPC主分类号：

C30B1520

IPC分类号：

C30B2906

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

黄德海

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 15/20 申请日:20211227
2022-05-13	公开	公开

共 50 条

[1]

单晶体的制备方法及硅晶体 [P].

王双丽 ;

陈俊宏 .

中国专利 :CN114438585A ,2022-05-06

[2]

单晶生长的方法、装置及单晶体 [P].

王双丽 ;

陈俊宏 .

中国专利 :CN113549997B ,2021-10-26

[3]

用于生产硅的单晶体的设备和方法 [P].

G·布伦宁格 ;

W·施泰因 ;

M·黑伯伦 .

中国专利 :CN104975340A ,2015-10-14

[4]

CuInS2单晶体的制备方法和CuInS2单晶体制备装置 [P].

赵岳 ;

丁艳丽 ;

冯月 ;

王林军 ;

彭翔 ;

梁小燕 ;

闵嘉华 ;

史伟民 .

中国专利 :CN103993355A ,2014-08-20

[5]

单晶体切割方法 [P].

奥克塔维安·菲利普 ;

鲍里斯·埃佩尔鲍姆 ;

马蒂亚斯·比克尔曼 ;

阿尔布雷希特·温纳克 ;

保罗·海曼 ;

乌尔里希·赛茨 .

中国专利 :CN104428115A ,2015-03-18

[6]

单晶体锭块、用于生产单晶体锭块的设备和方法 [P].

崔日洙 ;

安镇佑 ;

王学义 ;

金容进 .

中国专利 :CN104937148A ,2015-09-23

[7]

坩埚和制造单晶体的方法 [P].

堀勉 ;

上田俊策 ;

松岛彰 .

中国专利 :CN105239157A ,2016-01-13

[8]

单晶体的制造方法和装置 [P].

佐藤利行 .

中国专利 :CN107299387B ,2017-10-27

[9]

单晶体的制造方法和设备 [P].

G·拉明 ;

L·阿尔特曼绍夫尔 ;

G·拉特尼科斯 ;

J·兰德里钦格 ;

J·洛布迈尔 ;

A·霍尔津格 .

中国专利 :CN103173848B ,2013-06-26

[10]

α-三氧化二铝单晶体的制备方法 [P].

钱幼平 ;

代成 ;

唐大林 ;

代成功 ;

王俊 .

中国专利 :CN101942698B ,2011-01-12

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