一种波长无关高消光比的硅光子调制器

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201820001963.7

申请日：

2018-01-02

公开(公告)号：

CN207895208U

公开(公告)日：

2018-09-21

发明(设计)人：

方青陈晓铃胡娟陈华张志群

申请人：

申请人地址：

650093 云南省昆明市五华区学府路253号

IPC主分类号：

G02F121

IPC分类号：

G02B612 G02B6125

代理机构：

代理人：

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-06	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):G02F 1/21 登记生效日:20210723 变更事项:专利权人变更前权利人:哈尔滨众达电子有限公司变更后权利人:熠谱（上海）半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:150000 黑龙江省哈尔滨市松北区智谷大街288号深圳（哈尔滨）产业园科创总部1号楼变更后权利人:201306 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼
2018-09-21	授权	授权
2020-08-18	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):G02F 1/21 登记生效日:20200729 变更事项:专利权人变更前权利人:昆明理工大学变更后权利人:哈尔滨众达电子有限公司变更事项:地址变更前权利人:650093 云南省昆明市五华区学府路253号变更后权利人:150000 黑龙江省哈尔滨市松北区智谷大街288号深圳（哈尔滨）产业园科创总部1号楼

共 50 条

[1]

一种波长无关高消光比的硅光子调制器 [P].

方青 ;

陈晓铃 ;

胡娟 ;

陈华 ;

张志群 .

中国专利 :CN108051972A ,2018-05-18

[2]

一种波长无关高消光比的硅光子调制器 [P].

方青 ;

陈晓铃 ;

胡娟 ;

陈华 ;

张志群 .

中国专利 :CN108051972B ,2024-01-16

[3]

一种高消光比的空间光耦合分光调制器 [P].

段誉 ;

赵德平 ;

曹丁象 ;

徐迎彬 ;

谢昌斌 ;

蔡宣盘 ;

巨兴斌 .

中国专利 :CN216595767U ,2022-05-24

[4]

一种与偏振无关的硅基电光调制器 [P].

方青 ;

胡鹤鸣 ;

张馨丹 ;

马晓悦 ;

陈华 .

中国专利 :CN215067593U ,2021-12-07

[5]

一种基于分光比可调MMI的高消光比的硅基MZI调制器 [P].

方青 ;

胡鹤鸣 ;

张馨丹 ;

马晓悦 ;

陈华 ;

张志群 .

中国专利 :CN214846115U ,2021-11-23

[6]

高消光比和高调制效率的Fano共振光子晶体调制器 [P].

吴邦泽 ;

鹿利单 ;

祝连庆 ;

陈伟强 ;

董明利 ;

娄小平 .

中国专利 :CN120686489A ,2025-09-23

[7]

一种高消光比高速电光调制器芯片 [P].

李甲 ;

张晨 ;

李科 ;

王磊 ;

李志远 .

中国专利 :CN118778298A ,2024-10-15

[8]

一种高消光比高速电光调制器芯片 [P].

李甲 ;

张晨 ;

李科 ;

王磊 ;

李志远 .

中国专利 :CN118778298B ,2024-12-10

[9]

一种高消光比电光强度调制器 [P].

杨作运 ;

曾维胜 .

中国专利 :CN111308740A ,2020-06-19

[10]

一种具有高消光比的MZI电光调制器 [P].

马小霞 .

中国专利 :CN120522913A ,2025-08-22

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