基板处理方法、半导体制造方法及基板处理装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202080022944.2

申请日：

2020-01-24

公开(公告)号：

CN113614887A

公开(公告)日：

2021-11-05

发明(设计)人：

小林健司佐藤雅伸中野佑太

申请人：

申请人地址：

日本京都府

IPC主分类号：

H01L21304

IPC分类号：

H01L21306

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

陈伟;闫剑平

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/304 申请日:20200124

共 50 条

[1]

基板处理方法、半导体制造方法及基板处理装置 [P].

小林健司 ;

佐藤雅伸 ;

中野佑太 .

日本专利 :CN113614887B ,2025-07-01

[2]

基板处理装置、基板处理方法及半导体制造方法 [P].

伊东哲生 ;

菊本宪幸 ;

井上一树 ;

山田邦夫 .

日本专利 :CN111755354B ,2025-04-18

[3]

基板处理装置、基板处理方法及半导体制造方法 [P].

伊东哲生 ;

菊本宪幸 ;

井上一树 ;

山田邦夫 .

中国专利 :CN111755354A ,2020-10-09

[4]

基板处理方法及基板处理装置、半导体装置的制造方法及半导体制造装置 [P].

宫本泰治 ;

吉田幸史 ;

杉村博之 ;

宇都宫彻 .

日本专利 :CN120917551A ,2025-11-07

[5]

基板处理方法、基板处理装置、半导体装置的制造方法以及半导体制造装置 [P].

上田悠介 ;

吉田幸史 ;

宫本泰治 .

日本专利 :CN120770068A ,2025-10-10

[6]

半导体装置的制造方法、基板处理装置及基板处理方法 [P].

村川惠美 ;

松下实 ;

尾﨑成则 .

中国专利 :CN101165876A ,2008-04-23

[7]

半导体装置的制造方法、基板处理方法及基板处理装置 [P].

广濑义朗 ;

佐野敦 ;

柳田和孝 ;

东野桂子 .

中国专利 :CN103165410B ,2013-06-19

[8]

基板处理装置及包括基板处理装置的半导体制造设备 [P].

徐锺锡 ;

林宣燮 .

韩国专利 :CN118263152A ,2024-06-28

[9]

基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序 [P].

森谷敦 ;

窟田英树 ;

高桥正纮 .

日本专利 :CN119631163A ,2025-03-14

[10]

基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序及基板处理装置 [P].

长桥知也 ;

陶山渚 ;

江端慎也 ;

野原慎吾 .

日本专利 :CN118414692A ,2024-07-30

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