基于FPGA的SRAM存储器充放电效应测试系统及方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010879924.9
申请日
2020-08-27
公开(公告)号
CN112071357B
公开(公告)日
2020-12-11
发明(设计)人
路同山 苏京 徐骏 曹康丽 周博 李瑜婧 费涛 高冬冬 潘阳阳 刘刚
申请人
申请人地址
210000 江苏省南京市秦淮区御道街29号
IPC主分类号
G11C2956
IPC分类号
代理机构
上海段和段律师事务所 31334
代理人
李佳俊;郭国中
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
基于FPGA的SRAM存储器单粒子和充放电效应测试系统及方法 [P]. 
路同山 ;
苏京 ;
徐骏 ;
周博 ;
曹康丽 ;
李瑜婧 ;
潘阳阳 ;
高冬冬 ;
费涛 ;
刘刚 .
中国专利 :CN112071359B ,2020-12-11
[2]
基于FPGA的SRAM存储器单粒子和充放电效应综合测试装置 [P]. 
路同山 ;
苏京 ;
李秀伟 ;
徐骏 ;
周博 ;
曹康丽 ;
潘阳阳 ;
高冬冬 ;
费涛 ;
刘刚 .
中国专利 :CN112071358B ,2020-12-11
[3]
一种基于FPGA的存储器芯片测试方法及测试系统 [P]. 
王英鉴 ;
李平 ;
何永江 ;
曹忠鲁 ;
李雷 ;
方畅 ;
刘宝林 ;
覃露 ;
魏光强 .
中国专利 :CN119049530A ,2024-11-29
[4]
基于FPGA的DDR存储器抗单粒子翻转性能测试系统及方法 [P]. 
刘璐 ;
高扬 ;
宛霁 .
中国专利 :CN114678059A ,2022-06-28
[5]
存储器测试系统及存储器测试方法 [P]. 
张卫华 ;
喻梅 .
中国专利 :CN103093829A ,2013-05-08
[6]
存储器测试系统及存储器测试方法 [P]. 
陈建宇 .
中国专利 :CN118053490A ,2024-05-17
[7]
存储器测试系统及存储器测试方法 [P]. 
高劭伟 ;
林昭宇 .
中国专利 :CN118824343A ,2024-10-22
[8]
SRAM存储器和形成SRAM存储器的方法 [P]. 
张弓 ;
李煜 .
中国专利 :CN105719688B ,2016-06-29
[9]
一种基于FPGA的存储器芯片批量动态测试系统以及测试方法 [P]. 
曹忠鲁 ;
李平 ;
张子扬 ;
何永江 ;
叶林 ;
董云航 .
中国专利 :CN118609637A ,2024-09-06
[10]
存储器测试电路、测试系统及测试方法 [P]. 
谢元禄 ;
刘璟 ;
张君宇 ;
霍长兴 ;
呼红阳 ;
张坤 ;
刘明 .
中国专利 :CN111667877B ,2020-09-15