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一种多金属硅化物粉体及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201510992681.9
申请日
:
2015-12-25
公开(公告)号
:
CN105541337A
公开(公告)日
:
2016-05-04
发明(设计)人
:
刘学建
王鲁杰
杨晓
姚秀敏
齐倩
闫永杰
黄政仁
申请人
:
申请人地址
:
200050 上海市长宁区定西路1295号
IPC主分类号
:
C04B3558
IPC分类号
:
C04B3565
C04B35626
C04B35628
C01B3306
代理机构
:
上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261
代理人
:
曹芳玲;郑优丽
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2016-06-01
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101662919413 IPC(主分类):C04B 35/58 专利申请号:2015109926819 申请日:20151225
2016-05-04
公开
公开
2017-12-08
授权
授权
共 50 条
[1]
金属硅化物的制备方法
[P].
陈华伦
论文数:
0
引用数:
0
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陈华伦
;
熊涛
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熊涛
;
陈瑜
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陈瑜
;
罗啸
论文数:
0
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0
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罗啸
.
中国专利
:CN101442005A
,2009-05-27
[2]
金属硅化物的制备方法
[P].
刘莎莎
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
刘莎莎
;
闫家翔
论文数:
0
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
闫家翔
;
徐丰
论文数:
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
徐丰
;
黄鹏
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0
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0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
黄鹏
;
王函
论文数:
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0
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0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
王函
.
中国专利
:CN120936115A
,2025-11-11
[3]
金属硅化物的制备方法
[P].
王媛
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王媛
;
张步新
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张步新
.
中国专利
:CN101431019A
,2009-05-13
[4]
制备金属硅化物的方法
[P].
刘焕新
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0
刘焕新
.
中国专利
:CN102403211A
,2012-04-04
[5]
金属硅化物的制备方法
[P].
顾学强
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顾学强
;
肖慧敏
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肖慧敏
;
陈力山
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0
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0
陈力山
.
中国专利
:CN102176414A
,2011-09-07
[6]
一种金属硅化物的制备方法
[P].
黄建育
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机构:
成都紫光半导体科技有限公司
成都紫光半导体科技有限公司
黄建育
.
中国专利
:CN120164792A
,2025-06-17
[7]
一种金属硅化物的制备方法
[P].
魏晓平
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机构:
芯恩(青岛)集成电路有限公司
芯恩(青岛)集成电路有限公司
魏晓平
;
肖恩才
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0
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机构:
芯恩(青岛)集成电路有限公司
芯恩(青岛)集成电路有限公司
肖恩才
;
孟昭生
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机构:
芯恩(青岛)集成电路有限公司
芯恩(青岛)集成电路有限公司
孟昭生
.
中国专利
:CN118222978A
,2024-06-21
[8]
Mo-Si系金属硅化物/ZrC纳米复合粉体及其制备方法
[P].
论文数:
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机构:
刘红霞
;
梁腾飞
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0
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机构:
内蒙古工业大学
内蒙古工业大学
梁腾飞
;
论文数:
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机构:
覃世玉
;
宋伟豪
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机构:
内蒙古工业大学
内蒙古工业大学
宋伟豪
;
论文数:
引用数:
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机构:
白玉
.
中国专利
:CN115974561B
,2024-01-16
[9]
金属硅化物薄膜的制备方法
[P].
许广勤
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许广勤
;
刘运龙
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刘运龙
.
中国专利
:CN101399203A
,2009-04-01
[10]
镍金属硅化物的制备方法
[P].
肖天金
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肖天金
;
邱裕明
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0
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0
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邱裕明
.
中国专利
:CN105575790A
,2016-05-11
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