用于外延生长的原位应力光学监控方法及系统

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200710023556.2
申请日
2007-06-08
公开(公告)号
CN101092738A
公开(公告)日
2007-12-26
发明(设计)人
王建峰 徐科 朱建军 杨辉
申请人
申请人地址
215123江苏省苏州市苏州工业园区仁爱路150号南大苏州研究生院B-513
IPC主分类号
C30B2516
IPC分类号
代理机构
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人
陶海锋
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
引用
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共 50 条
[1]
用于外延生长的原位应力光学监控装置 [P]. 
王建峰 ;
徐科 ;
朱建军 ;
杨辉 .
中国专利 :CN201033809Y ,2008-03-12
[2]
光学监控系统 [P]. 
拉斯·纳约尔卡 ;
斯特芬·沃尔特 ;
奥利·古斯塔夫·约翰内森 ;
奥利弗·西蒙·马修斯 ;
明奇尔·申 .
英国专利 :CN121050080A ,2025-12-02
[3]
光学监控系统 [P]. 
赖建军 .
中国专利 :CN205453938U ,2016-08-10
[4]
光学监控系统 [P]. 
赖建军 .
中国专利 :CN105516676A ,2016-04-20
[5]
光学监控系统 [P]. 
拉斯·纳约尔卡 ;
斯特芬·沃尔特 ;
奥利·古斯塔夫·约翰内森 ;
奥利弗·西蒙·马修斯 ;
明奇尔·申 .
英国专利 :CN121050079A ,2025-12-02
[6]
外延生长监控图形及监控方法 [P]. 
王辉 .
中国专利 :CN105870031A ,2016-08-17
[7]
应力消除外延生长装置及外延生长方法 [P]. 
冯禹 ;
韩景瑞 ;
丁雄傑 ;
鲍勇年 ;
李锡光 ;
鲁青 ;
邓名毅 ;
叶兆杰 ;
陈俊豪 .
中国专利 :CN117822102A ,2024-04-05
[8]
用于SiC异质外延生长的原位刻蚀方法 [P]. 
吕红亮 ;
贾仁需 ;
王悦湖 ;
汤晓燕 ;
张玉明 .
中国专利 :CN104576320A ,2015-04-29
[9]
用于SiC异质外延生长的原位刻蚀方法 [P]. 
李百泉 ;
邱爱芹 .
中国专利 :CN105826173A ,2016-08-03
[10]
光学监控系统及放射治疗设备 [P]. 
闫浩 ;
苟天昌 .
中国专利 :CN221786313U ,2024-10-01