无限选择性的光刻胶掩膜蚀刻

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780013713.X

申请日：

2007-01-30

公开(公告)号：

CN101421830A

公开(公告)日：

2009-04-29

发明(设计)人：

金智洙彼得·西里格利亚诺李尚宪许东浩崔大汉 S·M·列扎·萨贾迪

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21311

IPC分类号：

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人：

余刚;尚志峰

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-30	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101729931618 IPC(主分类):H01L 21/311 专利申请号:200780013713X 申请公布日:20090429
2009-04-29	公开	公开
2011-03-02	专利申请或者专利权的恢复	专利申请的恢复号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101071076511 IPC(主分类):H01L 21/311 专利申请号:200780013713X 专利号:无申请日:20070130 原决定名称:专利申请公布后的视为撤回原决定公告日:20110105
2009-06-24	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-01-05	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101058508739 IPC(主分类):H01L 21/311 专利申请号:200780013713X 公开日:20090429

共 50 条

[1]

无限选择性的光刻胶掩膜蚀刻 [P].

金智洙 ;

彼得·西里格利亚诺 ;

李尚宪 ;

许东浩 ;

崔大汉 ;

S·M·列扎·萨贾迪 .

中国专利 :CN105390390A ,2016-03-09

[2]

对浸渍光刻胶具有选择性的有机抗反射涂层蚀刻方法 [P].

海伦·H·朱 ;

彼得·西里格利亚诺 ;

S·M·列扎·萨贾迪 .

中国专利 :CN102067290A ,2011-05-18

[3]

用于光刻应用的光刻胶层上碳的选择性沉积 [P].

拉里·高 ;

南希·冯 .

中国专利 :CN115516604A ,2022-12-23

[4]

改善光刻胶耐蚀刻性的方法 [P].

U·P·施勒德尔 ;

G·昆克尔 ;

A·古特曼 .

中国专利 :CN1264061A ,2000-08-23

[5]

用于光刻应用的光刻胶层上的碳的选择性沉积 [P].

拉里·高 ;

南希·冯 .

中国专利 :CN115699255A ,2023-02-03

[6]

用于掩膜版光刻胶的缓存装置 [P].

林伟 ;

林超 ;

周荣梵 .

中国专利 :CN211996679U ,2020-11-24

[7]

一种光刻方法以及光刻胶掩膜 [P].

请求不公布姓名 ;

张辉 .

中国专利 :CN119024645A ,2024-11-26

[8]

作为硅槽刻蚀掩膜的光刻胶的光刻方法 [P].

徐春云 .

中国专利 :CN103576445B ,2014-02-12

[9]

对光刻胶具有高选择比的无卤素无定形碳掩膜蚀刻方法 [P].

金钟穆 ;

王竹戌 ;

阿杰·M·乔希 ;

景宝·刘 ;

布赖恩·Y·浦 .

中国专利 :CN101320224A ,2008-12-10

[10]

低蚀刻性光刻胶清洗剂 [P].

史永涛 ;

彭洪修 ;

刘兵 ;

曾浩 .

中国专利 :CN101286016A ,2008-10-15

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