改善光刻胶耐蚀刻性的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN00102364.0

申请日：

2000-02-17

公开(公告)号：

CN1264061A

公开(公告)日：

2000-08-23

发明(设计)人：

U·P·施勒德尔 G·昆克尔 A·古特曼

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

G03F7039

IPC分类号：

G03F7038

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

吴增勇;傅康

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-02-22	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2000-08-23	公开	公开
2001-12-12	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

改善光刻胶耐刻蚀性的方法 [P].

U·P·施勒德尔 ;

G·昆克尔 ;

A·古特曼 ;

B·斯普勒 .

中国专利 :CN1268678A ,2000-10-04

[2]

改善光刻胶形貌的方法 [P].

王传龙 ;

何洪波 ;

王建涛 .

中国专利 :CN121034949A ,2025-11-28

[3]

光刻胶剥除室和在基片上蚀刻光刻胶的方法 [P].

罗伯特·P·切比 ;

雅罗斯瓦夫·W·维尼凯克 ;

艾伦·J·米勒 ;

格拉迪斯·S·洛 .

中国专利 :CN101490810B ,2009-07-22

[4]

改善光刻胶涂布均匀性的装置 [P].

丁凯 ;

黄寓洋 .

中国专利 :CN217386134U ,2022-09-06

[5]

低蚀刻性光刻胶清洗剂 [P].

史永涛 ;

彭洪修 ;

刘兵 ;

曾浩 .

中国专利 :CN101286016A ,2008-10-15

[6]

低蚀刻性光刻胶清洗剂 [P].

史永涛 ;

彭洪修 ;

刘兵 .

中国专利 :CN101663620B ,2010-03-03

[7]

低蚀刻性光刻胶清洗剂 [P].

刘兵 ;

彭洪修 ;

史永涛 .

中国专利 :CN101548241B ,2009-09-30

[8]

低蚀刻性光刻胶清洗剂 [P].

刘兵 ;

彭洪修 ;

史永涛 ;

曾浩 .

中国专利 :CN101201556A ,2008-06-18

[9]

改善蚀刻后光刻胶残余的半导体器件制造方法 [P].

廖奇泊 ;

金明伦 ;

李乐 .

中国专利 :CN100395874C ,2006-01-18

[10]

除去光刻胶和蚀刻残渣的方法 [P].

V·巴拉苏布拉马尼亚姆 ;

M·萩原 ;

E·西村 ;

K·稻泽 .

中国专利 :CN1647257A ,2005-07-27

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