除去光刻胶和蚀刻残渣的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03808542.9

申请日：

2003-01-17

公开(公告)号：

CN1647257A

公开(公告)日：

2005-07-27

发明(设计)人：

V·巴拉苏布拉马尼亚姆 M·萩原 E·西村 K·稻泽

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L213065

IPC分类号：

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

任宗华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-07-27	公开	公开
2008-04-09	授权	授权
2005-09-21	实质审查的生效	实质审查的生效
2016-03-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101650103693 IPC(主分类):H01L 21/3065 专利号:ZL038085429 申请日:20030117 授权公告日:20080409 终止日期:20150117

共 50 条

[1]

去除光刻胶和蚀刻残留物的方法 [P].

维迪雅纳坦·巴拉苏布拉马尼亚姆 ;

萩原正明 ;

西村荣一 ;

稻泽高一郎 ;

畑村安则 .

中国专利 :CN100388429C ,2005-08-10

[2]

光刻胶除去装置和光刻胶除去方法 [P].

远藤民夫 ;

佐藤淳 ;

天野泰彦 ;

田村哲司 .

中国专利 :CN1653596A ,2005-08-10

[3]

光刻胶和刻蚀残留物的低压去除 [P].

稻泽刚一郎 ;

瓦迪亚纳森·巴拉苏布拉马尼恩 ;

萩原正明 ;

西村荣一 .

中国专利 :CN101095379B ,2007-12-26

[4]

光刻胶和刻蚀残留物的低压去除 [P].

稻沢刚一郎 ;

瓦迪亚纳森·巴拉苏布拉马尼恩 ;

畑村安则 ;

萩原正明 ;

西村荣一 .

中国专利 :CN101099234A ,2008-01-02

[5]

除去负性光刻胶的方法 [P].

P·J·奇可洛 ;

B·D·阿莫斯 ;

S·麦卡蒙 .

中国专利 :CN103425000B ,2013-12-04

[6]

监控光刻胶残渣缺陷的方法 [P].

桑小东 .

中国专利 :CN120315245A ,2025-07-15

[7]

适合用来除去光刻胶、光刻胶副产物和蚀刻残余物的组合物及其应用 [P].

J·M·里克尔 ;

T·维德 ;

D·L·德拉姆 .

中国专利 :CN1813223B ,2006-08-02

[8]

适合用来除去光刻胶、光刻胶副产物和蚀刻残余物的组合物及其应用 [P].

J·M里克尔 ;

T·维德 ;

D·L·德拉姆 .

中国专利 :CN101916052A ,2010-12-15

[9]

光刻胶残渣去除剂 [P].

矢田隆司 ;

寺山重树 ;

肥沼丰 ;

大串建 .

中国专利 :CN1290402A ,2001-04-04

[10]

一种PCB光刻胶除去装置和光刻胶去除方法 [P].

傅百军 ;

傅嘉炜 ;

陈玉峰 .

中国专利 :CN115268237B ,2024-10-29

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