光刻胶和刻蚀残留物的低压去除

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580045692.0

申请日：

2005-12-01

公开(公告)号：

CN101095379B

公开(公告)日：

2007-12-26

发明(设计)人：

稻泽刚一郎瓦迪亚纳森·巴拉苏布拉马尼恩萩原正明西村荣一

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H05H124

IPC分类号：

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258

代理人：

李剑

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-11-16	授权	授权
2008-02-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-12-26	公开	公开

共 50 条

[1]

光刻胶和刻蚀残留物的低压去除 [P].

稻沢刚一郎 ;

瓦迪亚纳森·巴拉苏布拉马尼恩 ;

畑村安则 ;

萩原正明 ;

西村荣一 .

中国专利 :CN101099234A ,2008-01-02

[2]

去除光刻胶和蚀刻残留物的方法 [P].

维迪雅纳坦·巴拉苏布拉马尼亚姆 ;

萩原正明 ;

西村荣一 ;

稻泽高一郎 ;

畑村安则 .

中国专利 :CN100388429C ,2005-08-10

[3]

去除光刻胶残留物的方法 [P].

林鑫 ;

陈浩 ;

樊航 ;

张其学 ;

金佩 ;

宋振伟 ;

王雷 .

中国专利 :CN118092093A ,2024-05-28

[4]

去除光刻胶残留物的方法、衬底 [P].

谢文春 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN121165414A ,2025-12-19

[5]

光刻胶残留物去除用组合物 [P].

崔好星 .

中国专利 :CN101776853A ,2010-07-14

[6]

光刻胶残留物的清洗方法 [P].

刘凤梅 ;

谢文春 ;

杨坚 .

中国专利 :CN101089734B ,2007-12-19

[7]

光刻胶残留物清洗剂 [P].

侯军 ;

吕冬 .

中国专利 :CN101295143A ,2008-10-29

[8]

光刻胶层残留物的清洗方法 [P].

杨永刚 ;

刘轩 ;

肖志强 .

中国专利 :CN101957564A ,2011-01-26

[9]

除去光刻胶和蚀刻残渣的方法 [P].

V·巴拉苏布拉马尼亚姆 ;

M·萩原 ;

E·西村 ;

K·稻泽 .

中国专利 :CN1647257A ,2005-07-27

[10]

去除光刻胶残留的方法 [P].

韩秋华 ;

马擎天 .

中国专利 :CN101587833A ,2009-11-25

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