光刻胶残留物的清洗方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610027584.7

申请日：

2006-06-12

公开(公告)号：

CN101089734B

公开(公告)日：

2007-12-19

发明(设计)人：

刘凤梅谢文春杨坚

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

G03F726

IPC分类号：

G03F742

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

逯长明

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-12-19	公开	公开
2008-02-13	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-12-07	授权	授权

共 50 条

[1]

光刻胶层残留物的清洗方法 [P].

杨永刚 ;

刘轩 ;

肖志强 .

中国专利 :CN101957564A ,2011-01-26

[2]

光刻胶残留物清洗剂 [P].

侯军 ;

吕冬 .

中国专利 :CN101295143A ,2008-10-29

[3]

去除光刻胶残留物的方法 [P].

林鑫 ;

陈浩 ;

樊航 ;

张其学 ;

金佩 ;

宋振伟 ;

王雷 .

中国专利 :CN118092093A ,2024-05-28

[4]

去除光刻胶残留物的方法、衬底 [P].

谢文春 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN121165414A ,2025-12-19

[5]

去除光刻胶和蚀刻残留物的方法 [P].

维迪雅纳坦·巴拉苏布拉马尼亚姆 ;

萩原正明 ;

西村荣一 ;

稻泽高一郎 ;

畑村安则 .

中国专利 :CN100388429C ,2005-08-10

[6]

光刻胶残留物去除用组合物 [P].

崔好星 .

中国专利 :CN101776853A ,2010-07-14

[7]

光刻胶和刻蚀残留物的低压去除 [P].

稻沢刚一郎 ;

瓦迪亚纳森·巴拉苏布拉马尼恩 ;

畑村安则 ;

萩原正明 ;

西村荣一 .

中国专利 :CN101099234A ,2008-01-02

[8]

光刻胶和刻蚀残留物的低压去除 [P].

稻泽刚一郎 ;

瓦迪亚纳森·巴拉苏布拉马尼恩 ;

萩原正明 ;

西村荣一 .

中国专利 :CN101095379B ,2007-12-26

[9]

一种去除光刻胶残留物的清洗液 [P].

刘兵 ;

彭洪修 ;

孙广胜 ;

颜金荔 ;

徐海玉 .

中国专利 :CN103809392B ,2014-05-21

[10]

一种去除光刻胶残留物的清洗液 [P].

孙广胜 ;

刘兵 ;

彭洪修 ;

周前付 ;

徐海玉 .

中国专利 :CN113009793A ,2021-06-22

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