去除光刻胶残留物的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410250935.9

申请日：

2024-03-05

公开(公告)号：

CN118092093A

公开(公告)日：

2024-05-28

发明(设计)人：

林鑫陈浩樊航张其学金佩宋振伟王雷

申请人：

华虹半导体（无锡）有限公司上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

G03F7/42

IPC分类号：

B08B7/02 B08B3/04

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

刘昌荣

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G03F 7/42申请日:20240305
2024-05-28	公开	公开

共 50 条

[1]

去除光刻胶残留物的方法、衬底 [P].

谢文春 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN121165414A ,2025-12-19

[2]

光刻胶残留物去除用组合物 [P].

崔好星 .

中国专利 :CN101776853A ,2010-07-14

[3]

去除光刻胶和蚀刻残留物的方法 [P].

维迪雅纳坦·巴拉苏布拉马尼亚姆 ;

萩原正明 ;

西村荣一 ;

稻泽高一郎 ;

畑村安则 .

中国专利 :CN100388429C ,2005-08-10

[4]

光刻胶残留物的清洗方法 [P].

刘凤梅 ;

谢文春 ;

杨坚 .

中国专利 :CN101089734B ,2007-12-19

[5]

光刻胶和刻蚀残留物的低压去除 [P].

稻沢刚一郎 ;

瓦迪亚纳森·巴拉苏布拉马尼恩 ;

畑村安则 ;

萩原正明 ;

西村荣一 .

中国专利 :CN101099234A ,2008-01-02

[6]

光刻胶和刻蚀残留物的低压去除 [P].

稻泽刚一郎 ;

瓦迪亚纳森·巴拉苏布拉马尼恩 ;

萩原正明 ;

西村荣一 .

中国专利 :CN101095379B ,2007-12-26

[7]

光刻胶层残留物的清洗方法 [P].

杨永刚 ;

刘轩 ;

肖志强 .

中国专利 :CN101957564A ,2011-01-26

[8]

一种去除光刻胶残留物的清洗液 [P].

刘兵 ;

彭洪修 ;

孙广胜 ;

颜金荔 ;

徐海玉 .

中国专利 :CN103809392B ,2014-05-21

[9]

一种去除光刻胶残留物的清洗液 [P].

孙广胜 ;

刘兵 ;

彭洪修 ;

周前付 ;

徐海玉 .

中国专利 :CN113009793A ,2021-06-22

[10]

一种去除光刻胶残留物的清洗液 [P].

孙广胜 ;

刘兵 ;

彭洪修 ;

周前付 ;

徐海玉 .

中国专利 :CN113009793B ,2025-03-04

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