用于光刻应用的光刻胶层上的碳的选择性沉积

被引：0

申请号：

CN202180040091.X

申请日：

2021-06-09

公开(公告)号：

CN115699255A

公开(公告)日：

2023-02-03

发明(设计)人：

拉里·高南希·冯

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21033

IPC分类号：

H01L21311

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国;赵静

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-02-03	公开	公开

共 50 条

[1]

用于光刻应用的光刻胶层上碳的选择性沉积 [P].

拉里·高 ;

南希·冯 .

中国专利 :CN115516604A ,2022-12-23

[2]

无限选择性的光刻胶掩膜蚀刻 [P].

金智洙 ;

彼得·西里格利亚诺 ;

李尚宪 ;

许东浩 ;

崔大汉 ;

S·M·列扎·萨贾迪 .

中国专利 :CN101421830A ,2009-04-29

[3]

无限选择性的光刻胶掩膜蚀刻 [P].

金智洙 ;

彼得·西里格利亚诺 ;

李尚宪 ;

许东浩 ;

崔大汉 ;

S·M·列扎·萨贾迪 .

中国专利 :CN105390390A ,2016-03-09

[4]

去除晶片上的光刻胶层的方法 [P].

杨鑫著 .

中国专利 :CN102314099A ,2012-01-11

[5]

以气相沉积来沉积的光刻胶及此光刻胶的制造与光刻系统 [P].

蒂莫西·米凯尔松 ;

蒂莫西·W·韦德曼 ;

巴里·李·金 ;

马耶德·A·福阿德 ;

保罗·迪顿 .

中国专利 :CN105074572A ,2015-11-18

[6]

形成光刻胶层的方法 [P].

朱晓峥 ;

沈悦 .

中国专利 :CN101211116A ,2008-07-02

[7]

去除光刻胶层的方法 [P].

刘焕新 ;

何永根 .

中国专利 :CN102902169A ,2013-01-30

[8]

去除光刻胶层的方法 [P].

吴杰 ;

唐在峰 ;

吴智勇 .

中国专利 :CN109065450A ,2018-12-21

[9]

去除光刻胶层的方法 [P].

韩秋华 ;

韩宝东 .

中国专利 :CN101651099A ,2010-02-17

[10]

用于图案化EUV掩模上的光刻胶层的光刻系统和方法 [P].

林云跃 ;

陈嘉仁 ;

李信昌 ;

严涛南 .

中国专利 :CN105023832A ,2015-11-04

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