用于图案化EUV掩模上的光刻胶层的光刻系统和方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510165819.8

申请日：

2015-04-09

公开(公告)号：

CN105023832A

公开(公告)日：

2015-11-04

发明(设计)人：

林云跃陈嘉仁李信昌严涛南

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L21027

IPC分类号：

G03F720

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-11-04	公开	公开
2015-12-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101635126928 IPC(主分类):H01L 21/027 专利申请号:2015101658198 申请日:20150409
2018-02-27	授权	授权

共 50 条

[1]

光刻胶、光刻胶组合产品及光刻胶图案化的方法 [P].

徐宏 ;

何向明 ;

刘天棋 .

中国专利 :CN115903376B ,2025-01-14

[2]

光刻胶图案的形成方法和光刻胶层合体 [P].

山崎晃义 ;

本池直人 ;

川名大助 ;

佐藤和史 .

中国专利 :CN1424626A ,2003-06-18

[3]

光刻设备和用于形成光刻胶图案的方法 [P].

柳龙焕 ;

朴商鎭 ;

李沙罗 ;

朱成培 .

中国专利 :CN115639725A ,2023-01-24

[4]

形成光刻胶图案的方法 [P].

C·J·史密斯 ;

S·M·休斯 ;

C·M·J·霍克 ;

A·M·克罗尔 ;

A·G·纳吉 ;

P·M·瓦恩巴杰 .

中国专利 :CN100468642C ,2007-09-26

[5]

EUV光刻用干光刻胶或硬掩模 [P].

G·I·梅杰尔 ;

V·韦伯 ;

L·莫林 ;

岸本章宏 ;

P·W·J·斯塔尔 .

美国专利 :CN121127801A ,2025-12-12

[6]

半导体基底光刻胶的去除方法和光刻胶的图案化方法 [P].

马欢 ;

陈凯 ;

罗波涛 ;

殷瑞腾 .

中国专利 :CN120578014A ,2025-09-02

[7]

利用衰减的相移掩模图案化晶片上的光刻胶的方法 [P].

詹姆斯·R·沃森 ;

帕维特·曼加特 .

中国专利 :CN1756996A ,2006-04-05

[8]

光刻胶的硅化方法及形成光刻胶掩模图形的方法 [P].

崔彰日 ;

李冬 .

中国专利 :CN101458460A ,2009-06-17

[9]

光刻胶及形成光刻图案的方法 [P].

钱晓春 ;

胡春青 ;

马丽君 .

中国专利 :CN111061126A ,2020-04-24

[10]

负性光刻胶组合物和形成光刻胶图案的方法 [P].

王晓伟 .

中国专利 :CN112731764A ,2021-04-30

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